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1. (WO2013047457) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/047457    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/074437
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 24.09.2012
CIB :
H05B 33/24 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 27/32 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01), H05B 33/26 (2006.01), H05B 33/28 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (Tous Sauf US).
OKAZAKI, Shoji; (US only).
SONODA, Tohru; (US only).
KATSUI, Hiromitsu; (US only).
TANAKA, Tetsunori; (US only)
Inventeurs : OKAZAKI, Shoji; .
SONODA, Tohru; .
KATSUI, Hiromitsu; .
TANAKA, Tetsunori;
Mandataire : HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-218362 30.09.2011 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE, AND DISPLAY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 表示装置の製造方法および表示装置
Abrégé : front page image
(EN)An a-ITO layer (112) is formed above a reflection electrode layer (111) and the layers are etched together; the a-ITO layer (112) is then converted to a p-ITO layer (114); and the difference in etching resistance between the p-ITO layer (114) and a transparent electrode layer formed above the p-ITO layer is used to layer the transparent electrode layer and to vary the thickness of the transparent electrode layer (121) between subpixels (71R, 71G, 71B).
(FR)Selon l'invention, une couche a-ITO (112) est formée au-dessus d'une couche d'électrode réfléchissante (111) et les couches sont gravées ensemble ; la couche a-ITO (112) est ensuite convertie en une couche p-ITO (114) ; la différence de résistance à la gravure entre la couche p-ITO (114) et une couche d'électrode transparente formée au-dessus de la couche p-ITO est utilisée pour stratifier la couche d'électrode transparente et pour faire varier l'épaisseur de la couche d'électrode transparente (121) entre des sous-pixels (71R, 71G, 71B).
(JA) 反射電極層(111)の上層にa-ITO層(112)を成膜して一括してエッチングした後、a-ITO層(112)をp-ITO層(114)に転化させ、p-ITO層(114)とその上に成膜される透明電極層とのエッチング耐性の違いを利用して透明電極層を積層してサブ画素(71R・71G・71B)間で透明電極層(121)の膜厚を変更する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)