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1. WO2013046564 - ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET SYSTÈME DE DEL

Numéro de publication WO/2013/046564
Date de publication 04.04.2013
N° de la demande internationale PCT/JP2012/005775
Date du dépôt international 12.09.2012
CIB
H01L 33/32 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
26Matériaux de la région électroluminescente
30contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32contenant de l'azote
CPC
H01L 21/02458
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02455Group 13/15 materials
02458Nitrides
H01L 21/0251
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02494Structure
02496Layer structure
0251Graded layers
H01L 21/0254
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02538Group 13/15 materials
0254Nitrides
H01L 21/02609
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02609Crystal orientation
H01L 21/0262
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02612Formation types
02617Deposition types
0262Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
H01L 2224/16225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
16of an individual bump connector
161Disposition
16151the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
16221the body and the item being stacked
16225the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Déposants
  • パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 井上 彰 INOUE, Akira (UsOnly)
  • 吉田 俊治 YOSHIDA, Shunji (UsOnly)
  • 横川 俊哉 YOKOGAWA, Toshiya (UsOnly)
Inventeurs
  • 井上 彰 INOUE, Akira
  • 吉田 俊治 YOSHIDA, Shunji
  • 横川 俊哉 YOKOGAWA, Toshiya
Mandataires
  • 奥田 誠司 OKUDA, Seiji
Données relatives à la priorité
2011-21513029.09.2011JP
2011-21520629.09.2011JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND LED SYSTEM
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET SYSTÈME DE DEL
(JA) 窒化物半導体発光素子およびLEDシステム
Abrégé
(EN) This nitride semiconductor light emitting element has a light emitting layer. The light emitting layer includes an InxGa1-xN well layer (0xGa1-xN well layer profile (depth profile) in the depth direction with an In composition ratio (x) has a plurality of peaks, and the values of the In composition ratio (x) at respective peaks are different from each other.
(FR) La présente invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure présentant une couche électroluminescente. La couche électroluminescente comprend une couche de puits InxGa1-xN (0xGa1-xN (profil en profondeur) dans la direction en profondeur, un rapport de composition d'In (x) présentant une pluralité de pics, et les valeurs du rapport de composition d'In (x) aux pics respectifs étant différentes les unes des autres.
(JA)  本開示の窒化物半導体発光素子は、発光層を有する窒化物半導体発光素子であって、発光層は、主面がm面であるInxGa1-xN井戸層(0<x≦1)を含み、InxGa1-xN井戸層におけるIn組成比xの深さ方向プロファイル(depth profile)は複数のピークを有しており、複数のピークのそれぞれにおけるIn組成比xの値は異なっている。
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