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1. (WO2013046547) TRANSISTOR EN COUCHES MINCES ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/046547    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/005628
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 05.09.2012
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.01.2013    
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
UKEDA, Takaaki; (US Seulement).
MIYAMOTO, Akihito; (US Seulement)
Inventeurs : UKEDA, Takaaki; .
MIYAMOTO, Akihito;
Mandataire : NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-209333 26.09.2011 JP
2011-221187 05.10.2011 JP
Titre (EN) ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR EN COUCHES MINCES ORGANIQUE
(JA) 有機薄膜トランジスタ
Abrégé : front page image
(EN)The present invention includes: a step of forming a gate electrode (2) on a substrate (1); a step of forming a gate insulating film (3) on the gate electrode; a step of forming a source electrode (4S) and a drain electrode (4D) on the gate insulating film; a step of forming a sacrificial layer (5) on the source electrode and the drain electrode; a step of forming a barrier layer (6R) on the sacrificial layer; a step of forming an opening by exposing a part of the sacrificial layer by patterning the barrier layer; a step of exposing the source electrode and the drain electrode by removing the exposed sacrificial layer; and a step of forming an organic semiconductor layer (7) over the upper surfaces of the source electrode and the drain electrode and the upper surface of the gate insulating film. A total surface area of a source electrode portion and a drain electrode portion exposed from the opening is 50 % or more of an area of the opening, and a gap between the source electrode and the drain electrode is smaller than an average crystal grain diameter of the organic semiconductor layer, at least a part of which is positioned on the source electrode and the drain electrode.
(FR)La présente invention comprend : une étape consistant à former une électrode de grille (2) sur un substrat (1) ; une étape consistant à former un film d'isolation de grille (3) sur l'électrode de grille ; une étape consistant à former une électrode de source (4S) et une électrode de drain (4D) sur le film d'isolation de grille ; une étape consistant à former une couche sacrificielle (5) sur l'électrode de source et l'électrode de drain ; une étape consistant à former une couche de barrière (6R) sur la couche sacrificielle ; une étape consistant à former une ouverture par exposition d'une partie de la couche sacrificielle par gravure de la couche de barrière ; une étape d'exposition de l'électrode de source et de l'électrode de drain par enlèvement de la couche sacrificielle exposée ; et une étape consistant à former une couche de semi-conducteur organique (7) sur les surfaces supérieures de l'électrode de source et de l'électrode de drain et la surface supérieure du film d'isolation de grille. Une aire totale d'une partie électrode de source et d'une partie électrode de drain exposées à partir de l'ouverture représente 50 % ou plus d'une aire de l'ouverture, et un intervalle entre l'électrode de source et l'électrode de drain est plus petit qu'un diamètre de grain de cristal moyen de la couche de semi-conducteur organique, dont au moins une partie est positionnée sur l'électrode de source et l'électrode de drain.
(JA) 基板(1)上にゲート電極(2)を形成する工程と、ゲート電極上にゲート絶縁膜(3)を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にソース電極(4S)及びドレイン電極(4D)を形成する工程と、ソース電極及びドレイン電極上に犠牲層(5)を形成する工程と、犠牲層上に隔壁層(6R)を形成する工程と、隔壁層をパターニングすることにより、犠牲層の一部を露出させて開口を形成する工程と、露出させた犠牲層を除去することにより、ソース電極及びドレイン電極を露出させる工程と、ソース電極及びドレイン電極の上面とゲート絶縁膜の上面とにわたって有機半導体層(7)を形成する工程とを含み、開口から露出したソース電極及びドレイン電極の表面積は、開口面積の50%以上であり、ソース電極とドレイン電極との間隔は、ソース電極及びドレイン電極の上に少なくとも一部が位置する有機半導体層の結晶の平均結径よりも小さい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)