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1. (WO2013045393) STRUCTURE MULTICOUCHE OFFRANT UNE ETANCHEITE AUX GAZ AMELIOREE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/045393    N° de la demande internationale :    PCT/EP2012/068766
Date de publication : 04.04.2013 Date de dépôt international : 24.09.2012
CIB :
C23C 18/14 (2006.01), B32B 7/02 (2006.01), C23C 18/12 (2006.01)
Déposants : COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25 rue Leblanc Bâtiment "Le Ponant D" F-75015 Paris (FR)
Inventeurs : CROS, Stéphane; (FR).
ALBEROLA, Nicole; (FR).
GARANDET, Jean-Paul; (FR).
MORLIER, Arnaud; (FR)
Mandataire : ILGART, Jean-Christophe; BREVALEX 95 rue d'Amsterdam F-75378 Paris Cedex 8 (FR)
Données relatives à la priorité :
11 58570 26.09.2011 FR
Titre (EN) MULTILAYER STRUCTURE OFFERING IMPROVED IMPERMEABILITY TO GASES
(FR) STRUCTURE MULTICOUCHE OFFRANT UNE ETANCHEITE AUX GAZ AMELIOREE
Abrégé : front page image
(EN)The present application describes a multilayer structure and also the process for obtaining same. The multilayer structure comprises a substrate (2), and a first stack of a layer (A) of SiO2 and a layer (B) made of material of SiOxNyHz type positioned between the substrate (2) and the layer (A) of SiO2, in which the layer (A) of SiO2 and the layer (B) made of material of SiOxNyHz type have thicknesses (eB, eA) such that the thickness of the layer (A) of SiO2 is less than or equal to 60 nm, the thickness of the layer (B) made of material of SiOxNyHz type (eB) is more than two times the thickness (eA) of the layer (A) of SiO2 and the sum of the thicknesses of the layer (A) of SiO2 and of the layer (B) made of material of SiOxNyHz type is between 100 nm and 500 nm and in which z is strictly positive and is strictly less than the ratio (x+y)/5, advantageously z is strictly less than the ratio (x+y)/10. The process comprises the conversion of a liquid inorganic precursor of perhydropolysilazane type by irradiation by VUV rays at a wavelength less than or equal to 220 nm and ultraviolet radiation at a wavelength greater than or equal to 220 nm.
(FR)La présente demande décrit une structure multicouche ainsi que son procédé d'obtention. La structure multicouche comporte un substrat (2), et un premier empilement d'une couche (A) de Si02 et une couche (B) en matériau de type SiOxNyHz disposée entre le substrat (2) et la couche (A) de Si02, dans laquelle la couche (A) de Si02 et la couche (B) en matériau de type SiOxNyHz présentent des épaisseurs (eB, eA) telles que l'épaisseur de la couche (A) de Si02 est inférieure ou égale 60 nm, l'épaisseur de la couche (B) en matériau de type SiOxNyHz (eB) est supérieure à deux fois l'épaisseur (eA) de la couche(A) de Si02 et la somme des épaisseurs de la couche (A) de Si02 et de la couche (B) en matériau de type SiOxNyHz est comprise entre 100 nm et 500 nm et dans laquelle z est strictement positif et est strictement inférieur au rapport (x+y)/5, avantageusement z est strictement inférieur au rapport (x+y)/10. Le procédé comprend la conversion d'un précurseur inorganique liquide de type perhydropolysilizane par irradiation par des rayonnements VUV à une longueur d'onde inférieure ou égale à 220 nm et un rayonnement ultraviolet à une longueur d'onde supérieure ou égale à 220 nm.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)