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1. WO2012154449 - OUTIL D'INTRODUCTION PERMETTANT DE PROTÉGER UNE PARTIE D'UN DISPOSITIF DE TIRAGE DE CRISTAL

Numéro de publication WO/2012/154449
Date de publication 15.11.2012
N° de la demande internationale PCT/US2012/035971
Date du dépôt international 01.05.2012
CIB
C30B 15/02 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
02en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ
C30B 29/06 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02Eléments
06Silicium
CPC
C30B 15/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
C30B 15/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
02adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
C30B 15/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
14Heating of the melt or the crystallised materials
C30B 15/20
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
20Controlling or regulating
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
Y10T 117/10
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
117Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
10Apparatus
Déposants
  • MEMC SINGAPORE PTE, LTD. [SG]/[SG] (AllExceptUS)
  • MEYER, Benjamin Michael [US]/[US] (UsOnly)
  • SREEDHARAMURTHY, Hariprasad [US]/[US] (UsOnly)
  • KIMBEL, Steven Lawrence [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • MEYER, Benjamin Michael
  • SREEDHARAMURTHY, Hariprasad
  • KIMBEL, Steven Lawrence
Mandataires
  • MUNSELL, Michael G.
Données relatives à la priorité
13/103,55409.05.2011US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) FEED TOOL FOR SHIELDING A PORTION OF A CRYSTAL PULLER
(FR) OUTIL D'INTRODUCTION PERMETTANT DE PROTÉGER UNE PARTIE D'UN DISPOSITIF DE TIRAGE DE CRISTAL
Abrégé
(EN) A crystal puller for melting silicon and forming a single crystal ingot and a feed tool for shielding a portion of the crystal puller during charging of the crystal puller are disclosed herein. The crystal puller includes a crucible for containing molten silicon. The feed tool includes a cylinder and a plate. The cylinder has an inner surface and an annular ledge formed in a portion of the inner surface. The cylinder has a diameter at the annular ledge that is less than a diameter of the cylinder at the inner surface. The plate is positioned on the annular ledge and includes a first section separate from a second section. The first section and the second section are operable to move laterally with respect to each other. The plate has a central opening formed in at least one of the first section and the second section.
(FR) L'invention porte sur un dispositif de tirage de cristal permettant de faire fondre du silicium et de former un lingot monocristallin et sur un outil d'introduction permettant de protéger une partie du dispositif de tirage de cristal pendant la charge du dispositif de tirage de cristal. Le dispositif de tirage de cristal comprend un creuset destiné à contenir du silicium fondu. L'outil d'introduction comprend un cylindre et une plaque. Le cylindre a une surface interne et un rebord annulaire formé dans une partie de la surface interne. Le cylindre a un diamètre au niveau du rebord annulaire qui est inférieur à un diamètre du cylindre au niveau de la surface interne. La plaque est placée sur le rebord annulaire et comprend une première section séparée d'une seconde section. La première section et la seconde section peuvent être amenées à se déplacer latéralement l'une par rapport à l'autre. La plaque a une ouverture centrale formée dans la première section et/ou la seconde section.
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