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1. WO2012152308 - TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP SENSIBLE AUX IONS

Numéro de publication WO/2012/152308
Date de publication 15.11.2012
N° de la demande internationale PCT/EP2011/057359
Date du dépôt international 06.05.2011
CIB
G01N 27/414 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
26en recherchant des variables électrochimiques; en utilisant l'électrolyse ou l'électrophorèse
403Ensembles de cellules et d'électrodes
414Transistors à effet de champ sensibles aux ions ou chimiques, c. à d. ISFETS ou CHEMFETS
CPC
G01N 27/4148
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
26by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
403Cells and electrode assemblies
414Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
4148Integrated circuits therefor, e.g. fabricated by CMOS processing
Déposants
  • X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • FANG, Ling Gang [CN]/[MY] (UsOnly)
  • KOO, Sang Sool [KR]/[MY] (UsOnly)
Inventeurs
  • FANG, Ling Gang
  • KOO, Sang Sool
Mandataires
  • HAGMANN-SMITH, Martin
Données relatives à la priorité
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ION SENSITIVE FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP SENSIBLE AUX IONS
Abrégé
(EN) A CMOS or bipolar based Ion Sensitive Field Effect Transistor (ISFET) comprising an ion sensitive recess for holding a liquid wherein the recess is formed at least partly on top of a gate of the transistor. There is also provided a method of manufacturing an I on Sensitive Field Effect Transistor (ISFET) utilising CMOS processing steps, the method comprising forming an ion sensitive recess for holding a liquid at least partly on top of a gate of the transistor.
(FR) La présente invention concerne un transistor à effet de champ sensible aux ions (ISFET) basé sur une technologie CMOS ou bipolaire et comprenant un logement sensible aux ions destiné à contenir un liquide, ledit logement étant au moins partiellement situé au-dessus d'une grille du transistor. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ sensible aux ions (ISFET) utilisant les étapes de traitement de la technologie CMOS, ledit procédé comprenant la formation d'un logement sensible aux ions destiné à contenir un liquide au moins partiellement situé au-dessus d'une grille du transistor.
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