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1. WO2012146003 - TUBE AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE PUISSANCE

Numéro de publication WO/2012/146003
Date de publication 01.11.2012
N° de la demande internationale PCT/CN2011/081387
Date du dépôt international 27.10.2011
CIB
H03F 3/20 2006.1
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
3Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
20Amplificateurs de puissance, p.ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C
CPC
H03F 1/0288
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
0205in transistor amplifiers
0288using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
H03F 3/193
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
189High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
19with semiconductor devices only
193with field-effect devices
H03F 3/195
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
189High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
19with semiconductor devices only
195in integrated circuits
H03F 3/245
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
24of transmitter output stages
245with semiconductor devices only
H03F 3/68
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
68Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
Déposants
  • 中兴通讯股份有限公司 ZTE CORPORATION [CN]/[CN] (AllExceptUS)
  • 何钢 HE, Gang [CN]/[CN] (UsOnly)
  • 陈化璋 CHEN, Huazhang [CN]/[CN] (UsOnly)
  • 崔晓俊 CUI, Xiaojun [CN]/[CN] (UsOnly)
Inventeurs
  • 何钢 HE, Gang
  • 陈化璋 CHEN, Huazhang
  • 崔晓俊 CUI, Xiaojun
Mandataires
  • 北京安信方达知识产权代理有限公司 AFD CHINA INTELLECTUAL PROPERTY LAW OFFICE
Données relatives à la priorité
201110110892.729.04.2011CN
Langue de publication Chinois (zh)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) POWER AMPLIFICATION TUBE AND POWER AMPLIFICATION METHOD
(FR) TUBE AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE PUISSANCE
(ZH) 一种功率放大管以及功率放大方法
Abrégé
(EN) A power amplification tube and a power amplification method. The power amplification tube includes a high voltage hetero-junction bipolar transistor (HVHBT) power amplification tube core and a high electron mobility transistor (HEMT) power amplification tube core which are integrated into the same encapsulation. The power amplification tube is applied to a Doherty amplifier. The power amplification tube is designed using a revolutionary completely new way of assembling power amplification tube cores, and compared with the existing Doherty amplifiers which use laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) amplification tube cores throughout, it can realize high-efficiency power amplification on the basis of ensuring a small power amplification tube volume.
(FR) L'invention concerne un tube amplificateur de puissance et un procédé d'amplification de puissance. Le tube amplificateur de puissance comprend un noyau de tube amplificateur de puissance à transistor bipolaire à hétérojonction pour haute tension (HVHBT) et un noyau de tube amplificateur de puissance à transistor à mobilité électronique élevée (HEMT) qui sont intégrés dans la même encapsulation. Le tube amplificateur de puissance est utilisé pour un amplificateur de Doherty. Le tube amplificateur de puissance est conçu à l'aide d'une méthode radicalement nouvelle d'assemblage de noyaux de tube amplificateur de puissance et, par rapport à des amplificateurs de Doherty existants qui utilisent seulement des noyaux de tube amplificateur à semi-conducteur métal-oxyde à diffusion latérale (LDMOS), il permet de réaliser une amplification de puissance de grande efficacité tout en assurant un faible volume du tube amplificateur de puissance.
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