(EN) Provided is a method for inhibiting a flash memory programming interference, comprising: after forming a sidewall (201) of a standard flash memory, forming a donor impurity distribution (203) at a PN junction between a substrate and a drain by using a process of inclined-injection of donor impurity ions (202), thus reducing the impurity gradient of the PN junction between the substrate and the drain, and thereby reducing an electric field within the PN junction between the substrate and the drain and lowering programming interference.
(FR) La présente invention concerne un procédé d'inhibition d'interférence de programmation de mémoire flash, comprenant les étapes suivantes : après formation d'une paroi latérale (201) d'une mémoire flash standard, formation d'une répartition d'impuretés de donateur (203) au niveau d'une jonction PN entre un substrat et un drain en utilisant un procédé d'injection inclinée d'ions d'impuretés de donateur (202), ce qui permet ainsi de réduire le gradient d'impureté de la jonction PN entre le substrat et le drain, de réduire de ce fait un champ électrique dans la jonction PN entre le substrat et le drain et d'abaisser l'interférence de programmation.