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1. WO2012110914 - DISPOSITIF DE SYNTHESE D'UN MATERIAU COMPOSITE NANOSTRUCTURE ET PROCEDE ASSOCIE.

Numéro de publication WO/2012/110914
Date de publication 23.08.2012
N° de la demande internationale PCT/IB2012/050549
Date du dépôt international 07.02.2012
CIB
C23C 14/22 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 14/34 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
34Pulvérisation cathodique
CPC
C23C 14/22
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
C23C 14/228
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
228Gas flow assisted PVD deposition
H01J 37/301
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
301Arrangements enabling beams to pass between regions of different pressure
H01J 37/317
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
317for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
H01J 37/3178
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
317for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
3178for applying thin layers on objects
Déposants
  • COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR]/[FR]
Inventeurs
  • LECONTE, Yann
  • PAQUEZ, Xavier
  • SUBLEMONTIER, Olivier
Mandataires
  • REBOUSSIN, Yohann
Données relatives à la priorité
110044714.02.2011FR
Langue de publication français (FR)
Langue de dépôt français (FR)
États désignés
Titre
(EN) DEVICE FOR SYNTHESISING A NANOSTRUCTURED COMPOSITE MATERIAL, AND ASSOCIATED METHOD
(FR) DISPOSITIF DE SYNTHESE D'UN MATERIAU COMPOSITE NANOSTRUCTURE ET PROCEDE ASSOCIE.
Abrégé
(EN)
The present invention relates to a device for synthesising a nanostructured composite material and to an associated method. The device includes a chamber (3) for synthesising said material, comprising a system (13) for depositing the matrix onto a target surface (15), a system (1, 4, 5, 9) for generating a supersonic jet of nanoparticles in a carrier gas, said system comprising an expansion chamber (1) and a buffer chamber (2) arranged between said system (1, 4, 5, 9) for generating said supersonic jet and the synthesis chamber (3), the prevailing pressure inside the buffer chamber (2) being lower than the prevailing pressure inside the expansion chamber (1), said supersonic jet of carrier gas driving the nanoparticles which are to thereby pass through the expansion chamber (1) and then through the buffer chamber (2), such that the nanoparticles pass through the synthesis chamber (3) onto the target surface (15).
(FR)
La présente invention concerne un dispositif de synthèse d'un matériau composite nanostructuré et un procédé associé. Le dispositif comprend une chambre de synthèse (3) dudit matériau comportant un système (13) de dépôt de la matrice sur une surface cible (15), un système (1, 4, 5, 9) pour générer un jet supersonique de nanoparticules dans un gaz porteur, ledit système comportant une chambre de détente (1 ) et une chambre tampon (2) disposée entre ledit système (1, 4, 5, 9) pour générer ce jet supersonique et la chambre de synthèse (3), la pression régnant dans la chambre tampon (2) étant inférieure à la pression régnant dans la chambre de détente (1 ), ledit jet supersonique de gaz porteur entraînant les nanoparticules étant ainsi destiné à traverser la chambre de détente (1 ) puis la chambre tampon (2), de sorte que les nanoparticules traversent la chambre de synthèse (3) jusqu'à la surface cible (15).
Également publié en tant que
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