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1. WO2012084658 - SYSTÈME DE DISTRIBUTION DE PUISSANCE HYPERFRÉQUENCE DESTINÉ À DES RÉACTEURS À PLASMA

Numéro de publication WO/2012/084658
Date de publication 28.06.2012
N° de la demande internationale PCT/EP2011/072822
Date du dépôt international 14.12.2011
CIB
C23C 16/27 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
26Dépôt uniquement de carbone
27Le diamant uniquement
C23C 16/511 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
50au moyen de décharges électriques
511utilisant des décharges à micro-ondes
H01J 37/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01P 5/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
PGUIDES D'ONDES; RÉSONATEURS, LIGNES OU AUTRES DISPOSITIFS DU TYPE GUIDE D'ONDES
5Dispositifs de couplage du type guide d'ondes
04à coefficient de couplage variable
H01P 5/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
PGUIDES D'ONDES; RÉSONATEURS, LIGNES OU AUTRES DISPOSITIFS DU TYPE GUIDE D'ONDES
5Dispositifs de couplage du type guide d'ondes
12Dispositifs de couplage présentant au moins trois accès
16Dispositifs à accès conjugués, c. à d. dispositifs présentant au moins un accès découplé d'un autre accès
19du type à jonction
20Jonctions en T magique
CPC
C23C 16/274
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
26Deposition of carbon only
27Diamond only
274using microwave discharges
C23C 16/511
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
50using electric discharges
511using microwave discharges
C23C 16/54
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
54Apparatus specially adapted for continuous coating
H01J 2237/3321
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
32Processing objects by plasma generation
33characterised by the type of processing
332Coating
3321CVD [Chemical Vapor Deposition]
H01J 37/32192
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32192Microwave generated discharge
H01J 37/32229
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32192Microwave generated discharge
32211Means for coupling power to the plasma
32229Waveguides
Déposants
  • ELEMENT SIX LIMITED [GB]/[GB] (AllExceptUS)
  • WORT, Christopher, John, Howard [GB]/[GB] (UsOnly)
  • BRANDON, John, Robert [GB]/[GB] (UsOnly)
Inventeurs
  • WORT, Christopher, John, Howard
  • BRANDON, John, Robert
Mandataires
  • ATKINSON, Ian, Anthony
Données relatives à la priorité
1021855.023.12.2010GB
61/439,28403.02.2011US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MICROWAVE POWER DELIVERY SYSTEM FOR PLASMA REACTORS
(FR) SYSTÈME DE DISTRIBUTION DE PUISSANCE HYPERFRÉQUENCE DESTINÉ À DES RÉACTEURS À PLASMA
Abrégé
(EN)
A microwave power delivery system for supplying microwave power to a plurality of microwave plasma reactors (8), the microwave power delivery system comprising: a tuner (14) configured to be coupled to a microwave source (4) and configured to match impedance of the plurality of microwave plasma reactors to that of the microwave source; and a waveguide junction (18) coupled to the tuner and configured to guide microwaves to and from the plurality of microwave plasma reactors, wherein the waveguide junction comprises four waveguide ports including a first port coupled to the tuner, second and third ports configured to be coupled to respective microwave plasma reactors, and a fourth port coupled to a microwave sink (20), wherein the waveguide junction is configured to evenly split microwave power input from the tuner through the first port between the second and third ports for providing microwave power to respective microwave plasma reactors, wherein the waveguide junction is configured to decouple the second and third ports thereby preventing any reflected microwaves from one of the microwave plasma reactors from feeding across the waveguide junction directly into another microwave plasma reactor causing an imbalance, wherein the waveguide junction is further configured to feed reflected microwaves received back through the second and third ports which are balanced in terms of magnitude and phase to the tuner such that they can be reflected by the tuner and re-used, and wherein the waveguide junction is further configured to feed excess reflected power which is not balanced through the fourth port into the microwave sink.
(FR)
La présente invention concerne un système de distribution de puissance hyperfréquence qui permet de fournir une puissance hyperfréquence à une pluralité de réacteurs à plasma hyperfréquence (8). Le système de distribution de puissance hyperfréquence comprend : un syntoniseur (14) conçu pour être couplé à une source hyperfréquence (4) et pour faire correspondre l'impédance de la pluralité de réacteurs à plasma hyperfréquence avec celle de la source hyperfréquence; ainsi qu'une jonction de guide d'ondes (18) couplée au syntoniseur et conçue pour guider les hyperfréquences jusqu'à la pluralité de réacteurs à plasma hyperfréquence et depuis la pluralité de réacteurs à plasma hyperfréquence. La jonction de guide d'ondes comporte quatre ports de guide d'ondes qui incluent un premier port couplé au syntoniseur, des deuxième et troisième ports destinés à être couplés aux réacteurs à plasma hyperfréquence respectifs, et un quatrième port couplé à un collecteur d'hyperfréquences (20). Ladite jonction de guide d'ondes est conçue pour répartir uniformément la puissance hyperfréquence, qui entre en provenance du syntoniseur et qui passe par le premier port, entre les deuxième et troisième ports afin de fournir la puissance hyperfréquence aux réacteurs à plasma hyperfréquence respectifs. Cette jonction de guide d'ondes est conçue pour découpler les deuxième et troisième ports et pour empêcher ainsi que les hyperfréquences réfléchies en provenance d'un des réacteurs à plasma hyperfréquence ne pénètrent dans la jonction de guide d'ondes pour atteindre directement un autre réacteur à plasma hyperfréquence, ce qui provoquerait un déséquilibre. Ladite jonction de guide d'ondes est en outre conçue pour fournir au syntoniseur les hyperfréquences réfléchies qui ont été reçues en retour par le biais des deuxième et troisième ports et qui sont équilibrées sur le plan de l'amplitude et de la phase, de sorte que ces hyperfréquences puissent être réfléchies par le syntoniseur et réutilisées. Cette jonction de guide d'ondes est également conçue pour fournir au collecteur d'hyperfréquences, par le biais du quatrième port, l'excès de puissance réfléchie qui n'est pas équilibré.
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