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1. WO2012081592 - DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE

Numéro de publication WO/2012/081592
Date de publication 21.06.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/078850
Date du dépôt international 14.12.2011
CIB
H01L 31/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
CPC
H01L 31/0465
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
042PV modules or arrays of single PV cells
0445including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
046PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
0465comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
Y02E 10/50
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
Déposants
  • 三洋電機株式会社 SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 山岡 義和 YAMAOKA, Yoshikazu [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 山岡 義和 YAMAOKA, Yoshikazu
Mandataires
  • 特許業務法人YKI国際特許事務所 YKI Patent Attorneys
Données relatives à la priorité
2010-27898315.12.2010JP
2011-01152824.01.2011JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置
Abrégé
(EN)
This device is provided with a first photoelectric conversion unit (24), a second photoelectric conversion unit (28), and an intermediate layer (26) provided between the first photoelectric conversion unit (24) and the second photoelectric conversion unit (28). A slit (S3) is formed through the first photoelectric conversion unit (24), the second photoelectric conversion unit (28), and the intermediate layer (26), and the constitution is such that the end part (26a) on the slit (S3) side of the intermediate layer (26) has a density greater than parts other than the end part (26a).
(FR)
L'invention concerne un dispositif qui est pourvu d'une première unité de conversion photoélectrique (24), d'une seconde unité de conversion photoélectrique (28) et d'une couche intermédiaire (26) disposée entre la première unité de conversion photoélectrique (24) et la seconde unité de conversion photoélectrique (28). Une fente (S3) est formée à travers la première unité de conversion photoélectrique (24), la seconde unité de conversion photoélectrique (28) et la couche intermédiaire (26), et la structure est telle que la partie d'extrémité (26a) sur le côté fente (S3) de la couche intermédiaire (26) présente une densité supérieure à celle des parties autres que la partie d'extrémité (26a).
(JA)
 第1光電変換ユニット24と、第2光電変換ユニット28と、第1光電変換ユニット24と第2光電変換ユニット28との間に設けられた中間層26と、を備え、第1光電変換ユニット24、第2光電変換ユニット28及び中間層26を貫いてスリットS3が形成され、中間層26のスリットS3側の端部26aは、端部26a以外よりも高い密度を有する構成とする。
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