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1. WO2012049031 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE SUCCESSION DE COUCHES SEMI-CONDUCTRICES, PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTANT UN RAYONNEMENT, ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2012/049031
Date de publication 19.04.2012
N° de la demande internationale PCT/EP2011/067154
Date du dépôt international 30.09.2011
CIB
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H01L 33/22 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
20ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
22Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
H01L 33/16 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
16ayant une structure cristalline ou une orientation particulière, p.ex. polycristalline, amorphe ou poreuse
CPC
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
H01L 33/007
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0062for devices with an active region comprising only III-V compounds
0066with a substrate not being a III-V compound
007comprising nitride compounds
H01L 33/0093
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0093Wafer bonding; Removal of the growth substrate
H01L 33/16
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
16with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
H01L 33/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
22Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
H01L 33/24
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
24of the light emitting region, e.g. non-planar junction
Déposants
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • HERTKORN, Joachim [DE]/[DE] (UsOnly)
  • TAKI, Tetsuya [JP]/[JP] (UsOnly)
  • OFF, Jürgen [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • HERTKORN, Joachim
  • TAKI, Tetsuya
  • OFF, Jürgen
Mandataires
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Données relatives à la priorité
10 2010 048 617.515.10.2010DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSCHICHTENFOLGE, STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP UND OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL
(EN) METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR LAYER SEQUENCE, RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP, AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE SUCCESSION DE COUCHES SEMI-CONDUCTRICES, PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTANT UN RAYONNEMENT, ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
Abrégé
(DE)
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge auf Basis von Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial und mit einer mikrostrukturierten Außenfläche sowie ein damit hergestellter Halbleiterchip und ein optoelektronisches Bauteil mit einem derartigen Halbleiterchip angegeben. Das Verfahren umfasst folgende Schritte: A) Aufwachsen zumindest einer ersten Halbleiterschicht der Halbleiterschichtenfolge auf einem Substrat; B) Aufbringen einer Ätzstoppschicht auf der ersten Halbleiterschicht; C) Aufwachsen zumindest einer weiteren Halbleiterschicht auf der in Schritt B) erhaltenen Schichtenfolge; D) Trennen der Halbleiterschichtenfolge vom Substrat, indem dem eine Trennzone der Halbleiterschichtenfolge zumindest teilweise entfernt wird; E) Ätzen der erhaltenen Trennfläche der Halbleiterschichtenfolge mittels eines Ätzmittels, so dass eine Mikrostrukturierung der ersten Halbleiterschicht erfolgt und die mikrostrukturierte Außenfläche gebildet wird.
(EN)
The invention relates to a method for producing a semiconductor layer sequence, which is based on a nitride compound semiconductor material and which comprises a microstructured outer surface, to a semiconductor chip produced using said method, and to an optoelectronic component comprising such a semiconductor chip. The method has the following steps: A) growing at least one first semiconductor layer of the semiconductor layer sequence on a substrate; B) applying an etch-resistant layer on the first semiconductor layer; C) growing at least one further semiconductor layer on the layer sequence obtained in step B); D) separating the semiconductor layer sequence from the substrate, a separating zone of the semiconductor layer sequence being at least partly removed; E) etching the obtained separating surface of the semiconductor layer sequence by means of an etching means such that a microstructuring of the first semiconductor layer is carried out and the microstructured outer surface is formed.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une succession de couches semi-conductrices à base de matériau semi-conducteur à base d'un composé de nitrure et comprenant une surface extérieure microstructurée, ainsi qu'une puce de semi-conducteur fabriquée par ce procédé et un composant optoélectronique comprenant une telle puce de semi-conducteur. Le procédé comprend les étapes suivantes : A) épitaxie d'au moins une première couche semi-conductrice de la succession de couches semi-conductrices sur un substrat; B) dépôt d'une couche d'arrêt de gravure sur la première couche semi-conductrice; C) épitaxie d'au moins une autre couche semi-conductrice sur la succession de couches obtenues à l'étape B); D) séparation de la succession de couches semi-conductrices d'avec le substrat en enlevant au moins en partie une zone de séparation de la succession de couches semi-conductrices; E) gravure de la surface de séparation de la succession de couches semi-conductrices au moyen d'un agent de gravure afin de doter la première couche semi-conductrice d'une microstructure et de former la surface extérieure microstructurée.
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