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1. WO2012046479 - ÉLÉMENT DE PHOTODÉTECTION ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE L'ÉLÉMENT DE PHOTODÉTECTION

Numéro de publication WO/2012/046479
Date de publication 12.04.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/065360
Date du dépôt international 05.07.2011
CIB
H01L 31/0248 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
CPC
H01L 31/0224
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
H01L 31/09
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
09Devices sensitive to infra-red, visible or ultraviolet radiation
Déposants
  • 株式会社 村田製作所 Murata Manufacturing Co., Ltd. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 瀬戸 弘之 SETO Hiroyuki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 中河原 修 NAKAGAWARA Osamu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 下藤 奏子 KATO Souko [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 瀬戸 弘之 SETO Hiroyuki
  • 中河原 修 NAKAGAWARA Osamu
  • 下藤 奏子 KATO Souko
Mandataires
  • 國弘 安俊 KUNIHIRO Yasutoshi
Données relatives à la priorité
2010-22519404.10.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PHOTODETECTION ELEMENT, AND METHOD OF PRODUCING THE PHOTODETECTION ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE PHOTODÉTECTION ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE L'ÉLÉMENT DE PHOTODÉTECTION
(JA) 光検出素子、及び該光検出素子の製造方法
Abrégé
(EN)
A sensitive layer (1) comprising a main component of ZnO is formed on the surface of a substrate (3), and a pair of electrodes (2a,2b) are arranged on the surface of the sensitive layer (1) in an opposing formation across a predetermined interval (t) (e.g. 5 to 10µm) so that a so-called planar structure is formed. An insensitive layer (4) comprising a main component of ZnO is formed on a predetermined interval portion (5) where the surface of the sensitive layer (1) is exposed and end portions of the electrodes (2a,2b), and an insulating protective film (6) comprising substances such as SiO2 is formed on the surface of the insensitive layer (4). Accordingly, a photodetection element such as a high-performance UV light sensor is achieved that is capable of suppressing dark current, has good transient and falling properties, and also has excellent spectral properties. A similar effect can be obtained even when the electrodes and the sensitive layer are formed on the surface of the substrate, and the insensitive layer and the insulating protective film are sequentially formed on the surface of the sensitive layer.
(FR)
Une couche sensible (1) comprenant un composant principal de ZnO est formée sur la surface d'un substrat (3), et une paire d'électrodes (2a, 2b) est disposée sur la surface de la couche sensible (1) de manière à ce que les électrodes soient à l'opposé l'une de l'autre et espacées d'un intervalle prédéterminé (t) (par exemple de 5 à 10 µm) de sorte qu'une structure dite planaire est formée. Une couche insensible (4) comprenant un composant principal de ZnO est formée sur une partie d'intervalle prédéterminé (5) où la surface de la couche sensible (1) est exposée et sur les parties d'extrémité des électrodes (2a, 2b), et une couche de protection isolante (6) comprenant des substances telles que SiO2 est formée sur la surface de la couche insensible (4). Par conséquent, il est possible d'obtenir un élément de photodétection tel qu'un capteur optique de rayonnement ultraviolet haute performance qui est en mesure de supprimer le courant d'obscurité, qui est doté de bonnes propriétés transitoires et de chute, et qui est également pourvu d'excellentes propriétés spectrales. Un effet similaire peut être obtenu y compris lorsque les électrodes et la couche sensible sont formées sur la surface du substrat, et lorsque la couche insensible et la couche de protection isolante sont formées de façon séquentielle sur la surface de la couche sensible.
(JA)
 主成分がZnOからなる感応層1が基板3の表面に形成されると共に、該感応層1の表面には所定間隔t(例えば、5~10μm)を介して一対の電極2a、2bが対向状に配され、所謂プレーナ型構造とされている。そして、感応層1が表面露出した所定間隔部分5及び電極2a、2bの端部には、主成分がZnOからなる不感応層4が形成され、該不感応層4の表面にSiO等からなる絶縁保護膜6が形成されている。これにより、暗電流を抑制でき、良好な過渡特性と立ち下がり特性を有し、かつ分光特性にも優れた高性能の紫外線センサ等の光検出素子を実現する。基板の表面に電極及び感応層を形成し、感応層の表面に不感応層及び絶縁保護膜を順次形成した場合も同様の効果を得ることができる。
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