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1. WO2012041694 - CIRCUIT DE COMMANDE D'UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À JONCTION

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[ DE ]

Patentansprüche

1. Schaltungsanordnung (300, 400) zum Ansteuern eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors (110) ,

wobei der Feldeffekttransistor (110) einen Gate-Anschluss (120) aufweist,

wobei die Schaltungsanordnung (300, 400) einen Treiber (320) umfasst, der dazu ausgebildet ist, ein Spannungssignal (550) mit einer festgelegten Frequenz zu erzeugen,

dadurch gekennzeichnet,

dass die Schaltungsanordnung (300, 400) einen Vierpol (310, 410) umfasst, der eine mit dem Treiber (320, 420) verbundene Eingangsklemme (313, 413) und eine mit dem Gate-Anschluss (120) verbundene Ausgangsklemme (314, 414) aufweist,

wobei der Vierpol (300, 400) eine Übertragungsfunktion aufweist, die einen Pol bei einem ungeraden Vielfachen der Frequenz besitzt.

2. Schaltungsanordnung (300, 400) gemäß Anspruch 1,

dadurch gekennzeichnet,

dass das Spannungssignal (550) sinusförmig ist.

3. Schaltungsanordnung (300, 400) gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2,

dadurch gekennzeichnet,

dass das Spannungssignal (550) einen Scheitelwert aufweist, der eine Gate-Durchbruchsspannung des Feldeffekttransistors (110) überschreitet.

4. Schaltungsanordnung (300) gemäß einem der Ansprüche

1 bis 3,

dadurch gekennzeichnet,

dass der Vierpol (310) einen Parallelschwingkreis (310) aufweist.

5. Schaltungsanordnung (300) gemäß Anspruch 4,

dadurch gekennzeichnet,

dass der Vierpol (310) eine Mehrzahl in Reihe geschalteter Parallelschwingkreise (310) aufweist.

6. Schaltungsanordnung (400) gemäß einem der Ansprüche

1 bis 3,

dadurch gekennzeichnet,

dass der Vierpol (410) einen Hohlraumresonator (410) aufweist.

7. Verfahren zum Ansteuern eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors (110), der einen Gate-Anschluss (120) aufweist, dadurch gekennzeichnet,

dass der Gate-Anschluss (120) mit einer Ausgangsklemme (314, 414) eines Vierpols (310, 410) verbunden wird,

eine Eingangsklemme (313, 413) des Vierpols (310, 410) mit einem Spannungssignal (550) mit einer festgelegten Frequenz beaufschlagt wird,

wobei der Vierpol (310, 410) eine Übertragungsfunktion aufweist, die einen Pol bei einem ungeraden Vielfachen der Fre-quenz besitzt.

8. Verfahren gemäß Anspruch 7,

dadurch gekennzeichnet,

dass das Spannungssignal (550) einen Scheitelwert aufweist, der eine Gate-Durchbruchsspannung des Feldeffekttransistors (110) überschreitet.

9. Verstärker zum Verstärken eines elektrischen Signals, dadurch gekennzeichnet,

dass die Verstärkerschaltung eine Schaltungsanordnung (300, 400) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6 aufweist.

10. Verstärker gemäß Anspruch 9,

dadurch gekennzeichnet,

dass der Verstärker ein Klasse-F-Verstärker ist.