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1. WO2012041694 - CIRCUIT DE COMMANDE D'UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À JONCTION

Numéro de publication WO/2012/041694
Date de publication 05.04.2012
N° de la demande internationale PCT/EP2011/065822
Date du dépôt international 13.09.2011
CIB
H03F 3/217 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
3Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
20Amplificateurs de puissance, p.ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C
21comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
217Amplificateurs de puissance de classe D; Amplificateurs à commutation
H03K 17/0412 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
04Modifications pour accélérer la commutation
041sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
0412par des dispositions prises dans le circuit de commande
H03K 5/07 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
5Manipulation d'impulsions non couvertes par l'un des autres groupes principaux de la présente sous-classe
01Mise en forme d'impulsions
04par augmentation de durée; par diminution de durée
07par l'utilisation de circuits résonnants
H03K 5/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
5Manipulation d'impulsions non couvertes par l'un des autres groupes principaux de la présente sous-classe
01Mise en forme d'impulsions
12par redressement des fronts avant ou arrière
CPC
H03F 3/2176
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
21with semiconductor devices only
217Class D power amplifiers; Switching amplifiers
2176Class E amplifiers
H03K 17/04123
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
04Modifications for accelerating switching
041without feedback from the output circuit to the control circuit
0412by measures taken in the control circuit
04123in field-effect transistor switches
H03K 5/07
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
5Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
01Shaping pulses
04by increasing duration; by decreasing duration
07by the use of resonant circuits
H03K 5/12
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
5Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
01Shaping pulses
12by steepening leading or trailing edges
Déposants
  • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • HEID, Oliver [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • HEID, Oliver
Représentant commun
  • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
Données relatives à la priorité
10 2010 041 759.930.09.2010DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) SCHALTUNGSANORDNUNG ZUM ANSTEUERN EINES SPERRSCHICHT-FELDEFFEKTTRANSISTORS
(EN) CIRCUIT ARRANGEMENT FOR CONTROLLING A JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) CIRCUIT DE COMMANDE D'UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À JONCTION
Abrégé
(DE)
Eine Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors, der einen Gate-Anschluss aufweist, umfasst einen Treiber, der dazu ausgebildet ist, ein Spannungssignal mit einer festgelegten Frequenz zu erzeugen. Dabei umfasst die Schaltungsanordnung außerdem einen Vierpol, der eine mit dem Treiber verbundene Eingangsklemme und eine mit dem Gate-Anschluss verbundene Ausgangsklemme aufweist und eine Übertragungsfunktion besitzt, die einen Pol bei einem ungeraden Vielfachen der Frequenz aufweist.
(EN)
The invention relates to a circuit arrangement for controlling a junction field effect transistor having a gate connection, said circuit arrangement comprising a driver which is designed to generate a voltage signal at a predefined frequency. The circuit arrangement further comprises a quadrupole that has an input terminal connected to the driver, an output terminal connected to the gate connection, and a transfer function having a pole at an uneven multiple of the frequency.
(FR)
L'invention concerne un circuit de commande d'un transistor à effet de champ à jonction comportant une borne de grille, ledit circuit comprenant un étage d'attaque conçu pour générer un signal de tension à une fréquence prédéfinie. Ce circuit comprend en outre un quadripôle qui comporte une borne d'entrée connectée à l'étage d'attaque et une borne de sortie connectée à la borne de grille, et possède une fonction de transfert qui comporte un pôle à un multiple impair de la fréquence.
Également publié en tant que
RU2012101462
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