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1. WO2012023269 - DISPOSITIF DE STOCKAGE NON VOLATIL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2012/023269
Date de publication 23.02.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/004553
Date du dépôt international 11.08.2011
CIB
H01L 27/105 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
H01L 45/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 49/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 27/101
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
101including resistors or capacitors only
H01L 27/2409
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
24including solid state components for rectifying, amplifying or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, ; e.g. resistance switching non-volatile memory structures
2409comprising two-terminal selection components, e.g. diodes
H01L 27/2463
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
24including solid state components for rectifying, amplifying or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, ; e.g. resistance switching non-volatile memory structures
2463Arrangements comprising multiple bistable or multistable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays, details of the horizontal layout
H01L 45/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
08based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
H01L 45/1233
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
12Details
122Device geometry
1233adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
H01L 45/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
14Selection of switching materials
145Oxides or nitrides
146Binary metal oxides, e.g. TaOx
Déposants
  • パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 空田 晴之 SORADA, Haruyuki (UsOnly)
  • 二宮 健生 NINOMIYA, Takeki (UsOnly)
  • 三河 巧 MIKAWA, Takumi (UsOnly)
  • 早川 幸夫 HAYAKAWA, Yukio (UsOnly)
Inventeurs
  • 空田 晴之 SORADA, Haruyuki
  • 二宮 健生 NINOMIYA, Takeki
  • 三河 巧 MIKAWA, Takumi
  • 早川 幸夫 HAYAKAWA, Yukio
Mandataires
  • 特許業務法人 有古特許事務所 PATENT CORPORATE BODY ARCO PATENT OFFICE
Données relatives à la priorité
2010-18209817.08.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) NONVOLATILE STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE NON VOLATIL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 不揮発性記憶装置およびその製造方法
Abrégé
(EN)
Provided are a nonvolatile storage device, wherein variance of an initial breakdown voltage between nonvolatile storage elements is suppressed and deterioration of yield is eliminated, and a method for manufacturing the nonvolatile storage device. A nonvolatile storage device is provided with: a nonvolatile storage element (108) wherein a variable resistance layer (106) has a multilayer structure formed flat and parallel to the main surface of a substrate (117); and a plug (103), which is electrically connected to a first electrode (105) or a second electrode (107). The nonvolatile storage device is configured such that the plug (103) area of the end surface on the side where the plug (103) and the nonvolatile storage element (108) are connected to each other, said surface being parallel to the main surface of the substrate (117), is larger than the area of the cross-section of a first transition metal oxide layer (115), i.e., a conductive region, said cross-section being parallel to the main surface of the substrate (117).
(FR)
L'invention concerne un dispositif de stockage non volatil grâce auquel la variation d'une tension initiale de claquage entre des éléments de stockage non volatil est supprimée et la détérioration du rendement est éliminée, ainsi qu'un procédé de fabrication du dispositif de stockage non volatil. Un dispositif de stockage non volatil comprend : un élément de stockage non volatil (108), une couche à résistance variable (106) possédant une structure multicouche formée à plat et parallèlement à la surface principale d'un substrat (117) ; et une pastille (103) qui est connectée électriquement à une première électrode (105) ou à une seconde électrode (107). Le dispositif de stockage non volatil est configuré de sorte que l'aire de la surface d'extrémité du côté par lequel la pastille (103) et l'élément de stockage non volatil (108) soient connectés l'un à l'autre, ladite surface étant parallèle à la surface principale du substrat (117), est supérieure à l'aire de la section transversale d'une première couche d'oxyde de métal de transition (115), c'est-à-dire une région conductrice, ladite section transversale étant parallèle à la surface principale du substrat (117).
(JA)
 不揮発性記憶素子間における初期ブレイクダウン電圧のばらつきを抑えて歩留りの低下を防止することができる不揮発性記憶装置およびその製造方法を提供する。抵抗変化層(106)が基板(117)の主面と平行にかつ平坦に形成された積層構造を有する不揮発性記憶素子(108)と、第1電極(105)および第2電極(107)のいずれかに電気的に接続されるプラグ(103)と、を備え、プラグ(103)と不揮発性記憶素子(108)とが接続する側の端面の、基板(117)の主面に平行な面のプラグ(103)の面積が、導電領域である第1の遷移金属酸化物層(115)の、基板(117)の主面に平行な断面の断面積より大きいように構成される。
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