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1. WO2012017661 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE

Numéro de publication WO/2012/017661
Date de publication 09.02.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/004424
Date du dépôt international 04.08.2011
CIB
H01L 31/042 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
042Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles
CPC
H01L 31/0201
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
02002Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
02005for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
02008for solar cells or solar cell modules
0201comprising specially adapted module bus-bar structures
H01L 31/046
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
042PV modules or arrays of single PV cells
0445including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
046PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
H01L 31/0465
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
042PV modules or arrays of single PV cells
0445including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
046PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
0465comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
H01L 31/048
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
042PV modules or arrays of single PV cells
048Encapsulation of modules
Y02E 10/50
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
Déposants
  • 三洋電機株式会社 SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 内藤 亮治 NAITO, Ryoji [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 村山 博子 MURAYAMA, Hiroko [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 内藤 亮治 NAITO, Ryoji
  • 村山 博子 MURAYAMA, Hiroko
Mandataires
  • 森下 賢樹 MORISHITA, Sakaki
Données relatives à la priorité
2010-17657505.08.2010JP
2011-07526130.03.2011JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR PRODUCING PHOTOVOLTAIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE
(JA) 光電変換装置の製造方法
Abrégé
(EN)
A method for producing a photovoltaic device (100) comprises: a step in which a plurality of photovoltaic cells (50) are formed on a substrate (10); and a step in which a back surface protective material (30) is adhered via a filler (28) so as to sandwich the plurality of photovoltaic cells (50) on the substrate (10). In the step in which the back surface protective material (30) is adhered, the filler (28) is formed by using a resin sheet (28a) in which an area that overlaps with protrusions formed on the surface formed by the plurality of photovoltaic cells (50) on the substrate (10) has been removed.
(FR)
La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un dispositif photovoltaïque (100). Ledit procédé comprend : une étape au cours de laquelle une pluralité de cellules photovoltaïques (50) sont formées sur un substrat (10) ; et une étape au cours de laquelle un matériau de protection de surface arrière (30) est collé par l'intermédiaire d'un mastic (28) de sorte à coincer la pluralité de cellules photovoltaïques (50) sur le substrat (10). Dans l'étape au cours de laquelle le matériau de protection de surface arrière (30) est collé, le mastic (28) est formé à l'aide d'une feuille de résine (28a) sur laquelle a été retirée une zone qui recouvre partiellement des saillies formées sur la surface formée par la pluralité de cellules photovoltaïques (50) sur le substrat (10).
(JA)
 光電変換装置100の製造方法は、基板10上に複数の光電変換セル50を形成する工程と、基板10上の複数の光電変換セル50を挟むように充填材28を介して裏面保護材30を接着する工程と、を有し、裏面保護材30を接着する工程においては、基板10の複数の光電変換セル50が形成された面に形成された凸部と重畳する領域を除去した樹脂シート28aを用いて充填材28を形成する。
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