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1. WO2012014854 - SUBSTRAT EN VERRE POUR UNE BATTERIE SOLAIRE Cu-In-Ga-Se ET UTILISATION DE CETTE BATTERIE SOLAIRE

Numéro de publication WO/2012/014854
Date de publication 02.02.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/066878
Date du dépôt international 25.07.2011
CIB
C03C 3/087 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
03VERRE; LAINE MINÉRALE OU DE SCORIES
CCOMPOSITION CHIMIQUE DES VERRES, GLAÇURES OU ÉMAUX VITREUX; TRAITEMENT DE LA SURFACE DU VERRE; TRAITEMENT DE SURFACE DES FIBRES OU FILAMENTS DE VERRE, DE SUBSTANCES MINÉRALES OU DE SCORIES; LIAISON DU VERRE AU VERRE OU À D'AUTRES MATÉRIAUX
3Compositions pour la fabrication du verre
04contenant de la silice
076avec 40 à 90% en poids de silice
083contenant de l'oxyde d'aluminium ou un composé du fer
085contenant un oxyde d'un métal divalent
087contenant de l'oxyde de calcium, p.ex. verre à vitre ordinaire ou verre pour récipients creux
H01L 31/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
CPC
C03C 23/008
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
23Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
008comprising a lixiviation step
C03C 3/087
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
3Glass compositions
04containing silica
076with 40% to 90% silica, by weight
083containing aluminium oxide or an iron compound
085containing an oxide of a divalent metal
087containing calcium oxide, e.g. common sheet or container glass
H01L 31/02327
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0232Optical elements or arrangements associated with the device
02327the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
H01L 31/0322
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0256characterised by the material
0264Inorganic materials
032including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
0322comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
H01L 31/0488
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
042PV modules or arrays of single PV cells
048Encapsulation of modules
0488Double glass encapsulation, e.g. photovoltaic cells arranged between front and rear glass sheets
Y02E 10/541
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
541CuInSe2 material PV cells
Déposants
  • 旭硝子株式会社 ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 黒岩 裕 KUROIWA, Yutaka [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 山本 雄一 YAMAMOTO, Yuichi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 関根 朋美 SEKINE, Tomomi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 中島 哲也 NAKASHIMA, Tetsuya [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 川本 泰 KAWAMOTO, Yasushi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 仁木 栄 NIKI, Shigeru [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 石塚 尚吾 ISHIZUKA, Shogo [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 黒岩 裕 KUROIWA, Yutaka
  • 山本 雄一 YAMAMOTO, Yuichi
  • 関根 朋美 SEKINE, Tomomi
  • 中島 哲也 NAKASHIMA, Tetsuya
  • 川本 泰 KAWAMOTO, Yasushi
  • 仁木 栄 NIKI, Shigeru
  • 石塚 尚吾 ISHIZUKA, Shogo
Mandataires
  • 泉名 謙治 SENMYO, Kenji
Données relatives à la priorité
2010-16702626.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) GLASS SUBSTRATE FOR Cu-In-Ga-Se SOLAR BATTERY, AND SOLAR BATTERY USING SAME
(FR) SUBSTRAT EN VERRE POUR UNE BATTERIE SOLAIRE Cu-In-Ga-Se ET UTILISATION DE CETTE BATTERIE SOLAIRE
(JA) Cu-In-Ga-Se太陽電池用ガラス基板及びそれを用いた太陽電池
Abrégé
(EN)
Provided is a glass substrate for a CIGS solar battery, wherein: the ratio of the average total content (atom%) of Ca, Sr and Ba in a section of 10-40 nm in depth from the surface of the glass substrate to the total content (atom%) of Ca, Sr and Ba in a section of 5000 nm in depth from the surface of the glass substrate is 0.17 or less; the ratio of the average Na amount (atom%) in the section of 10-40 nm in depth from the surface of the glass substrate before a heat treatment at 600oC for 1 hour under an N2 atmosphere to the same average Na amount after the heat treatment is 1.5 or more; the contents (mass%) of the following oxides in a section of 5000 nm or more in depth from the surface of the glass substrate are as follows, SiO2 53-72%, Al2O3 1-15%, MgO 0.5-9%, CaO 0.1-11%, SrO 0-11%, BaO 0-11%, Na2O 2-11%, K2O 4-21%, ZrO2 0.5-10.5%, MgO+CaO+SrO+BaO 4-25%, CaO+SrO+BaO 4-23%, Na2O+K2O 8-22% and Na2O/(CaO+SrO+BaO)≤1.2; the glass transition temperature is 580oC or higher; and the average thermal expansion coefficient is 70×10-7 to 100×10-7oC inclusive.
(FR)
L'invention concerne un substrat en verre pour une batterie solaire CIGS : le rapport entre la teneur totale moyenne (% en atome) en Ca, Sr et Ba dans une section de 10-40 nm de profondeur à partir de la surface du substrat en verre et la teneur totale (% en atome) en Ca, Sr et Ba dans une section de 5000 nm de profondeur à partir de la surface du substrat en verre valant 0,17 ou moins; le rapport entre la quantité moyenne de Na (% en atome) dans la section de 10-40 nm de profondeur à partir de la surface du substrat en verre avant un traitement thermique à 600oC pendant 1 heure sous une atmosphère de N2 et la même quantité moyenne de Na après le traitement thermique valant 1,5 ou plus; les teneurs (% en masse) des oxydes suivants dans une section de 5000 nm ou plus de profondeur à partir de la surface du substrat en verre étant comme suit, SiO2 53-72%, Al2O3 1-15%, MgO 0,5-9%, CaO 0,1-11%, SrO 0-11%, BaO 0-11%, Na2O 2-11%, K2O 4-21%, ZrO2 0,5-10,5%, MgO+CaO+SrO+BaO 4-25%, CaO+SrO+BaO 4-23%, Na2O+K2O 8-22% et Na2O/(CaO+SrO+BaO)≤1,2; la température de transition vitreuse valant 580oC ou plus; et le coefficient d'expansion thermique moyen valant 70×10-7 à 100×10-7oC inclus.
(JA)
 ガラス基板表面からの深さ10~40nmの間におけるCa、Sr及びBaの平均合量(原子%)と、ガラス基板表面からの深さ5000nmにおけるCa、Sr及びBaの合量(原子%)と、の比が0.17以下であって、ガラス基板表面からの深さ10~40nmの間における平均Na量(原子%)のN2 雰囲気下600℃1時間の熱処理前後比が1.5以上であり、ガラス基板表面からの深さ5000nm以上において、下記酸化物基準の質量百分率表示で、SiO2 53~72%、Al23 1~15%、MgO 0.5~9%、CaO 0.1~11%、SrO 0~11%、BaO 0~11%、Na2O 2~11%、K2O 4~21%、ZrO2 0.5~10.5%、MgO+CaO+SrO+BaO 4~25%、CaO+SrO+BaO 4~23%、Na2O+K2O 8~22%、Na2O/(CaO+SrO+BaO)≦1.2、含有し、ガラス転移点温度が580℃以上、平均熱膨張係数が70×10-7~100×10-7℃以下であるCIGS太陽電池用ガラス基板の提供。
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