Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2012014177 - PROCEDE DE REALISATION D'UN CONDENSATEUR COMPRENANT UN RESEAU DE NANO-CAPACITES

Numéro de publication WO/2012/014177
Date de publication 02.02.2012
N° de la demande internationale PCT/IB2011/053374
Date du dépôt international 28.07.2011
CIB
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01G 4/01 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
GCONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
4Condensateurs fixes; Procédés pour leur fabrication
002Détails
005Electrodes
01Forme des électrodes autoporteuses
CPC
B05D 5/12
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING LIQUIDS OR OTHER FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
DPROCESSES FOR APPLYING LIQUIDS OR OTHER FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
5Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
12to obtain a coating with specific electrical properties
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
B82Y 40/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
40Manufacture or treatment of nanostructures
H01G 11/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
11Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors [EDLCs]; Processes specially adapted for the manufacture thereof or of parts thereof
10Multiple hybrid or EDL capacitors, e.g. arrays or modules
H01G 13/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
13Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
H01G 4/01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
4Fixed capacitors; Processes of their manufacture
002Details
005Electrodes
01Form of self-supporting electrodes
Déposants
  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR]/[FR] (AllExceptUS)
  • HANBÜCKEN, Margrit [DE]/[FR] (UsOnly)
  • MOYEN, Eric [FR]/[FR] (UsOnly)
  • SANTINACCI, Lionel [FR]/[FR] (UsOnly)
  • ARNAUD D'AVITAYA, François [FR]/[FR] (UsOnly)
Inventeurs
  • HANBÜCKEN, Margrit
  • MOYEN, Eric
  • SANTINACCI, Lionel
  • ARNAUD D'AVITAYA, François
Mandataires
  • RATABOUL, Xavier
Données relatives à la priorité
100321230.07.2010FR
Langue de publication français (FR)
Langue de dépôt français (FR)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR PRODUCING A CAPACITOR INCLUDING AN ARRAY OF NANOCAPACITORS
(FR) PROCEDE DE REALISATION D'UN CONDENSATEUR COMPRENANT UN RESEAU DE NANO-CAPACITES
Abrégé
(EN)
The invention relates to a method for producing a capacitor including an array of nanocapacitors, in which the following steps are performed using a mould having a sealed surface, referred to as the lower surface, and a top surface through which a network of pores extend: (a) filling the pores of the mould and covering the top surface of said mould with an electrically conductive material, in order to form a structure consisting of an array of nanoscale objects connected by a single substrate; (b) removing the mould; (c) depositing, on the outline of the structure (204) obtained at the end of step (b), at least one bilayer consisting of a first layer of an electrically insulating material (205) and a second layer of an electrically conductive material (207); and then (d) locally removing said at least one bilayer deposited in step (c) from the substrate (202) in order to form the electrical contact.
(FR)
L'invention concerne un procédé de réalisation d'un condensateur comprenant un réseau de nano-capacités dans lequel on réalise, à partir d'un moule présentant une face fermée, dite face inférieure, et une face supérieure par laquelle un réseau de pores débouche, les étapes suivantes: (a) on remplit les pores du moule tout en recouvrant la face supérieure de ce moule, avec un matériau conducteur de l'électricité, afin de former une structure formée d'un réseau de nano-objets reliés par un même support; (b) on supprime le moule; (c) on dépose, sur le contour de la structure (204) obtenue à l'issue de l'étape (b), au moins une bicouche formée d'une première couche d'un matériau isolant électrique (205) et d'une deuxième couche d'un matériau conducteur de l'électricité (207); puis (d) on supprime, localement sur le support (202), ladite au moins une bicouche déposée à l'étape (c), afin de former le contact électrique.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international