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Paramétrages

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1. WO2012012711 - APPAREIL ET PROCÉDÉ POUR TESTER DES MÉMOIRES PROGRAMMABLES UNE SEULE FOIS

Numéro de publication WO/2012/012711
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/044998
Date du dépôt international 22.07.2011
CIB
G11C 29/02 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
29Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
02Détection ou localisation de circuits auxiliaires défectueux, p.ex. compteurs de rafraîchissement défectueux
G11C 29/50 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
29Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
04Détection ou localisation d'éléments d'emmagasinage défectueux
50Test marginal, p.ex. test de vitesse, de tension ou de courant
G11C 17/18 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
17Mémoires mortes programmables une seule fois; Mémoires semi-permanentes, p.ex. cartes d'information pouvant être replacées à la main
14dans lesquelles le contenu est déterminé en établissant, en rompant ou en modifiant sélectivement les liaisons de connexion par une modification définitive de l'état des éléments de couplage, p.ex. mémoires PROM
18Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
CPC
G11C 17/14
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
17Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
14in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
G11C 17/16
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
17Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
14in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
16using electrically-fusible links
G11C 17/18
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
17Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
14in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
18Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
G11C 2029/5006
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
29Checking stores for correct operation ; ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
04Detection or location of defective memory elements ; , e.g. cell constructio details, timing of test signals
50Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
5006Current
G11C 29/02
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
29Checking stores for correct operation ; ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
02Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
G11C 29/027
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
29Checking stores for correct operation ; ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
02Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
027in fuses
Déposants
  • ANALOG DEVICES, INC. [US/US]; One Technology Way Norwood, MA 02062-9106, US (AllExceptUS)
  • SAMUELS, Howard, R. [US/US]; US (UsOnly)
  • KELLY, Thomas, W. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • SAMUELS, Howard, R.; US
  • KELLY, Thomas, W.; US
Mandataires
  • ASHER, Robert M.; Sunstein Kann Murphy & Timbers LLP 125 Summer Street Boston, MA 02110, US
Données relatives à la priorité
61/367,22323.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) APPARATUS AND METHOD FOR TESTING ONE-TIME-PROGRAMMABLE MEMORY
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ POUR TESTER DES MÉMOIRES PROGRAMMABLES UNE SEULE FOIS
Abrégé
(EN)
An apparatus and method of testing one-time-programmable memory limits current through a one-time-programmable memory to less than a threshold amplitude, where the memory has a fuse configured to blow upon receipt of a signal having the threshold amplitude. The method also uses blow signal assertion circuitry to attempt to assert a blow signal to the fuse. When not defective, blow signal assertion circuitry is configured to permit the low amplitude signal to flow through the fuse when the fuse is not blown and the blow signal is asserted. The method then produces an output signal having a success value if the limited current flows through the fuse, and a failure value if the current does not flow through the fuse.
(FR)
La présente invention concerne un appareil et un procédé de test d'une mémoire programmable une seule fois. Le procédé consiste à limiter le courant traversant une mémoire programmable une seule fois à une valeur inférieure à une amplitude de seuil, la mémoire ayant un fusible configuré pour claquer à la réception d'un signal ayant l'amplitude de seuil. Le procédé utilise également des circuits de constatation de signal de claquage pour tenter de constater un courant de claquage du fusible. Lorsqu'il n'est pas défectueux, les circuits de constatation de signal de claquage est configuré pour permettre au signal de faible amplitude de traverser le fusible lorsque le fusible n'est pas claqué et le signal est constaté. Le procédé produit ensuite un signal de sortie ayant une valeur de succès si le courant limité traverse le fusible et une valeur d'échec si le courant ne traverse pas le fusible.
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