Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2012012345 - PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION AUTOMATIQUE D'UN MODÈLE DE DIFFUSOMÉTRIE PARAMÉTRÉ DE MANIÈRE OPTIMALE

Numéro de publication WO/2012/012345
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/044394
Date du dépôt international 18.07.2011
CIB
G01N 21/47 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
17Systèmes dans lesquels la lumière incidente est modifiée suivant les propriétés du matériau examiné
47Dispersion, c. à d. réflexion diffuse
G01N 21/27 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
17Systèmes dans lesquels la lumière incidente est modifiée suivant les propriétés du matériau examiné
25Couleur; Propriétés spectrales, c. à d. comparaison de l'effet du matériau sur la lumière pour plusieurs longueurs d'ondes ou plusieurs bandes de longueurs d'ondes différentes
27en utilisant la détection photo-électrique
CPC
G03F 7/70616
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70616Wafer pattern monitoring, i.e. measuring printed patterns or the aerial image at the wafer plane
G03F 7/70625
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70616Wafer pattern monitoring, i.e. measuring printed patterns or the aerial image at the wafer plane
70625Pattern dimensions, e.g. line width, profile, sidewall angle, edge roughness
Déposants
  • KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; One Technology Drive Milpitas, CA 95035, US (AllExceptUS)
  • TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower, 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo, 107-6325, JP (AllExceptUS)
  • FERNS, Jason [US/US]; US (UsOnly)
  • HENCH, John, J. [US/US]; US (UsOnly)
  • KOMAROV, Serguei [UA/US]; US (UsOnly)
  • DZIURA, Thaddeus [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • FERNS, Jason; US
  • HENCH, John, J.; US
  • KOMAROV, Serguei; US
  • DZIURA, Thaddeus; US
Mandataires
  • VINCENT, Lester, J.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, CA 94085-4040, US
Données relatives à la priorité
12/841,93222.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR AUTOMATED DETERMINATION OF AN OPTIMALLY PARAMETERIZED SCATTEROMETRY MODEL
(FR) PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION AUTOMATIQUE D'UN MODÈLE DE DIFFUSOMÉTRIE PARAMÉTRÉ DE MANIÈRE OPTIMALE
Abrégé
(EN)
Provided is an automated determination of an optimized parameterization of a scatterometry model for analysis of a sample diffracting structure having unknown parameters. A preprocessor determines from a plurality of floating model parameters, a reduced set of model parameters which can be reasonably floated in the scatterometry model based on a relative precision for each parameter determined from the Jacobian of measured spectral information with respect to each parameter. The relative precision for each parameter is determined in a manner which accounts for correlation between the parameters for a combination.
(FR)
L'invention concerne la détermination automatique d'un paramétrage optimisé d'un modèle de diffusométrie pour l'analyse d'une structure de diffraction à tester ayant des paramètres inconnus. Un préprocesseur détermine, parmi une pluralité de paramètres modèles flottants, un ensemble réduit de paramètres modèles pouvant être raisonnablement introduits dans le modèle de diffusométrie sur la base d'une précision relative pour chaque paramètre déterminée à partir du Jacobien d'informations spectrales mesurées par rapport à chaque paramètre. La précision relative pour chaque paramètre est déterminée d'une manière prenant en compte la corrélation entre les paramètres pour une combinaison.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international