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1. WO2012012321 - BOÎTIERS MICROÉLECTRONIQUES MOULÉS EMPILABLES À CONNECTEURS UNITAIRES À GROUPEMENT BIDIRECTIONNEL

Numéro de publication WO/2012/012321
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/044342
Date du dépôt international 18.07.2011
CIB
H01L 25/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
10les dispositifs ayant des conteneurs séparés
H01L 23/31 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31caractérisées par leur disposition
H01L 24/73
CPC
H01L 21/561
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
561Batch processing
H01L 21/563
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
563Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
H01L 21/565
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
565Moulds
H01L 2223/6611
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2223Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
64Impedance arrangements
66High-frequency adaptations
6605High-frequency electrical connections
6611Wire connections
H01L 2224/16225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
16of an individual bump connector
161Disposition
16151the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
16221the body and the item being stacked
16225the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
H01L 2224/16235
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
16of an individual bump connector
161Disposition
16151the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
16221the body and the item being stacked
16225the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
16235the bump connector connecting to a via metallisation of the item
Déposants
  • TESSERA, INC. [US/US]; 3025 Orchard Parkway San Jose, CA 95134, US (AllExceptUS)
  • HABA, Belgacem [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • HABA, Belgacem; US
Mandataires
  • NEFF, Daryl, K.; Lerner, David, Littenberg, Krumholz & Mentlik, LLP 600 South Avenue West Westfield, NJ 07090, US
Données relatives à la priorité
12/839,03819.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) STACKABLE MOLDED MICROELECTRONIC PACKAGES WITH AREA ARRAY UNIT CONNECTORS
(FR) BOÎTIERS MICROÉLECTRONIQUES MOULÉS EMPILABLES À CONNECTEURS UNITAIRES À GROUPEMENT BIDIRECTIONNEL
Abrégé
(EN)
A microelectronic package (290) having a (substrate 230), a microelectronic element (170), e.g., a chip, and terminals (240) can have conductive elements (238) electrically connected with element contacts of the chip and contacts of the substrate. Conductive elements can be electrically insulated from one another for simultaneously carrying different electric potentials. An encapsulant (201) can overlie the first surface (136) of the substrate and at least a portion of a face (672) of the microelectronic element remote from the substrate, and may have a major surface (200) above the microelectronic element. A plurality of package contacts (120, 220, 408, 410, 427) can overlie a face (672) of the microelectronic element remote from the substrate. The package contacts, e.g., conductive masses (410), substantially rigid posts (120, 220), can be electrically interconnected with terminals (240) of the substrate (230), such as through the conductive elements. The package contacts can have top surfaces (121) at least partially exposed at the major (surface 200) of the encapsulant (201).
(FR)
L'invention porte sur un boîtier microélectronique (290) comprenant un substrat (230), un élément microélectronique (170), par exemple une puce, et des bornes (240), qui peut comporter des éléments conducteurs (238) électriquement connectés à des contacts élémentaires de la puce et des contacts du substrat. Des éléments conducteurs peuvent être électriquement isolés l'un de l'autre pour être simultanément portés à des potentiels électriques différents. Un encapsulant (201) peut recouvrir la première surface (136) du substrat et au moins une partie d'une face (672) de l'élément microélectronique éloignée du substrat, et peut avoir une surface principale (200) au-dessus de l'élément microélectronique. Une pluralité de contacts de boîtier (120, 220, 408, 410, 427) peuvent recouvrir une face (672) de l'élément microélectronique éloignée du substrat. Les contacts de boîtier, par exemple des masses conductrices (410), des tiges sensiblement rigides (120, 220), peuvent être électriquement interconnectés à des bornes (240) du substrat (230), par exemple par l'intermédiaire des éléments conducteurs. Les contacts de boîtier peuvent avoir des surfaces supérieures (121) au moins partiellement exposées au niveau de la surface principale (200) de l'encapsulant (201).
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