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1. WO2012011723 - PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COUCHE MINCE CIS À HAUTE DENSITÉ POUR CELLULE SOLAIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE À COUCHE MINCE UTILISANT LADITE COUCHE

Numéro de publication WO/2012/011723
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/KR2011/005306
Date du dépôt international 19.07.2011
CIB
H01L 31/042 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
042Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles
CPC
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
C01B 19/002
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
19Selenium; Tellurium; Compounds thereof
002Compounds containing, besides selenium or tellurium, more than one other element, with -O- and -OH not being considered as anions
C01G 15/006
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
15Compounds of gallium, indium or thallium
006Compounds containing, besides gallium, indium, or thallium, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
C01P 2004/03
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2004Particle morphology
01depicted by an image
03obtained by SEM
C01P 2004/64
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2004Particle morphology
60Particles characterised by their size
64Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
H01L 31/0322
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0256characterised by the material
0264Inorganic materials
032including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
0322comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
Déposants
  • KOREA INSTITUTE OF ENERGY RESEARCH [KR/KR]; 102 Gajeong-ro, Yuseong-gu Daejeon 305-343, KR (AllExceptUS)
  • AHN, Se-Jin [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • YUN, Jae-Ho [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • GWAK, Ji-Hye [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • CHO, Ara [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • YOON, Kyung-Hoon [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • SHIN, Kee-Shik [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • AHN, Seoung-Kyu [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • SONG, Ki-Bong [KR/KR]; KR (UsOnly)
Inventeurs
  • AHN, Se-Jin; KR
  • YUN, Jae-Ho; KR
  • GWAK, Ji-Hye; KR
  • CHO, Ara; KR
  • YOON, Kyung-Hoon; KR
  • SHIN, Kee-Shik; KR
  • AHN, Seoung-Kyu; KR
  • SONG, Ki-Bong; KR
Mandataires
  • DAWOOL PATENT AND LAW FIRM; 5th Floor, Hyejeon Bldg. 224 Bongeunsa-ro, Gangnam-gu Seoul 135-913, KR
Données relatives à la priorité
10-2010-006992320.07.2010KR
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF MANUFACTURING HIGH DENSITY CIS THIN FILM FOR SOLAR CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM SOLAR CELL USING THE SAME
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COUCHE MINCE CIS À HAUTE DENSITÉ POUR CELLULE SOLAIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE À COUCHE MINCE UTILISANT LADITE COUCHE
Abrégé
(EN)
Disclosed are a high density CIS thin film and a method of manufacturing the same, which includes coating CIS nanopowders, CIGS nanopowders or CZTS nanopowders on a substrate by non-vacuum coating, followed by heat treatment with cavities between the nanopowders filled with filling elements such as copper, indium, gallium, zinc, tin, and the like. The high density CIS thin film is applied to a photo-absorption layer of a thin film solar cell, thereby providing a highly efficient thin film solar cell.
(FR)
Cette invention concerne une couche mince CIS à haute densité et son procédé de fabrication. Ledit procédé comprend les étapes consistant à déposer sur un substrat des nanopoudres CIS, des nanopoudres CIGS ou des nanopoudres CZTS par revêtement sans vide, et procéder à un traitement thermique lors duquel les cavités entre les nanopoudres sont remplies d'éléments de remplissage tels que le cuivre, l'indium, le gallium, le zinc, l'étain et similaires. La couche mince CIS à haute densité est appliquée sur une couche photo-absorbante d'une cellule solaire à couche mince, pour former une cellule solaire à couche mince de grande efficacité.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international