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Paramétrages

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1. WO2012011629 - STRUCTURE DE POUTRE DE SOUBASSEMENT À PORTE-À-FAUX MULTIPLE POUR CARTE SONDE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2012/011629
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/KR2010/005906
Date du dépôt international 01.09.2010
CIB
H01L 21/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
CPC
G01R 1/06727
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
1Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
02General constructional details
06Measuring leads; Measuring probes
067Measuring probes
06711Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
06716Elastic
06727Cantilever beams
G01R 3/00
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
3Apparatus or processes specially adapted for the manufacture ; or maintenance; of measuring instruments ; , e.g. of probe tips
Déposants
  • (주) 마이크로프랜드 MICROFRIEND INC. [KR/KR]; 서울특별시 노원구 공릉동 172 서울테크노파크 10층 10F, Seoul Technopark #172, Gongneung-dong, Nowon-gu Seoul 139-240, KR (AllExceptUS)
  • 조병호 CHO, Byung Ho [KR/KR]; KR
  • 조용호 CHO, Yong Ho [KR/KR]; KR
  • 조우진 CHO, Woo Jin [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • 이은제 LEE, Eun Je [KR/KR]; KR (UsOnly)
Inventeurs
  • 조병호 CHO, Byung Ho; KR
  • 조용호 CHO, Yong Ho; KR
  • 조우진 CHO, Woo Jin; KR
  • 이은제 LEE, Eun Je; KR
Mandataires
  • 김원식 KIM, Won-Sik; 서울특별시 강남구 논현동 268-7 썬라이더빌딩 5층 5fl. Sunrider Bldg. 268-7 Nonhyeon-dong, Gangnam-gu Seoul 135-010, KR
Données relatives à la priorité
10-2010-006972619.07.2010KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) MULTI-CANTILEVER BEAM STRUCTURE OF PROBE CARD AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) STRUCTURE DE POUTRE DE SOUBASSEMENT À PORTE-À-FAUX MULTIPLE POUR CARTE SONDE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 프로브 카드의 다중 캔틸레버 빔 구조체 및 그 제조방법
Abrégé
(EN)
The present invention relates a multi-cantilever beam structure and a manufacturing method therefor, the multi-cantilever beam structure comprising: a stereobate part which is formed on a substrate member of a probe card;a lower beam which has one end fixed on the upper surface of the stereobate part and is extended in the lateral direction; support parts formed on both ends of the lower beam; support parts formed on both ends of the lower beam; an upper beam which has both ends fixed on the support parts, respectively, and is configured to have a structure parallel to the lower beam at regular intervals in the upward and downward direction; and a probe tip which is formed to vertically protrude from another end of the upper beam to be electrically connected to a semiconductor wafer, wherein the stereobate part, lower beam, support parts, upper beam, and probe tip are formed on a space transformer in an MEMS scheme. According to this manufacturing method, the multi-cantilever beam is three-dimensionally formed on the space transformer through the MEMS scheme, which makes it possible to control the angle of a two-step beam such that the distance between beams becomes wider while the gap between probe tips becomes narrower.
(FR)
Cette invention concerne une structure de poutre à porte-à-faux multiple pour carte sonde et son procédé de fabrication. Ladite structure comprend : une partie stéréobate formée sur un élément support d'une carte sonde; une poutre inférieure dont une extrémité est fixée sur la surface supérieure de la partie stéréobate et qui est orientée dans le sens latéral; des pièces de soutien formées aux deux extrémités de la poutre inférieure; une poudre supérieure dont les deux extrémités sont fixées aux parties de soutien et dont la structure est conçue pour être parallèle à la poutre inférieure à intervalles réguliers dans les directions ascendante et descendante; et une pointe de sonde conçue pour dépasser verticalement depuis une autre extrémité de la poutre supérieure de manière à être connectée électriquement à une tranche de semi-conducteur. La partie stéréobate, la poutre inférieure, les parties de soutien, la poutre supérieure et la pointe de sonde sont formées sur un convertisseur spatial dans un système micro-électromécanique (MEMS). Selon ce procédé de fabrication, la poutre à porte-à-faux multiples est formée en trois dimensions sur le convertisseur spatial via le système MEMS, ce qui permet de commander l'angle d'une poutre à deux décrochements de telle sorte que la distance entre poutres augmente alors que l'espace entre les pointes de sonde rétrécit.
(KO)
본 발명은 프로브 카드의 기판부재 위에 형성되는 기단부; 일측 단부가 상기 기단부의 상면에 고정되고, 측 방향으로 연장되는 하부 빔; 하부 빔의 양측 단부 위에 각각 형성되는 지지부; 양측 단부가 각 지지부의 상면에 고정되고, 하부 빔과 상하로 일정 간격을 두고 평행한 구조로 이루어지는 상부 빔; 상부 빔의 타측 단부에서 수직하게 돌출 형성되어 반도체 웨이퍼에 전기 접속하는 프로브 팁;을 포함하여 구성되고, 상기 기단부와, 하부 빔, 지지부, 상부 빔 및 프로브 팁은 공간 변환기 위에서 MEMS 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 다중 캔틸레버 빔 구조체 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 제조방법에 의하면, 다중 캔틸레버 빔이 공간 변환기 위에서 MEMS 방식을 통해 3차원적으로 형성됨으로써, 프로브 팁 사이의 간격은 좁아지면서도 빔 사이의 간격은 넓어지도록 2단 빔의 각도를 조절할 수 있게 된다.
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