Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2012011423 - DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'UN SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2012/011423
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/066041
Date du dépôt international 14.07.2011
CIB
H01L 21/205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
C23C 16/46 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
46caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
CPC
C23C 16/45578
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
455characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
45563Gas nozzles
45578Elongated nozzles, tubes with holes
C23C 16/4583
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
458characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
4583the substrate being supported substantially horizontally
C23C 16/46
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
46characterised by the method used for heating the substrate
H01L 21/02529
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02529Silicon carbide
H01L 21/0262
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02612Formation types
02617Deposition types
0262Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
H01L 21/67109
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67109mainly by convection
Déposants
  • 株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 東京都千代田区外神田四丁目14番1号 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980, JP (AllExceptUS)
  • 西堂 周平 SAIDO Shuhei [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 山口 天和 YAMAGUCHI Takatomo [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 原 大介 HARA Daisuke [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 西堂 周平 SAIDO Shuhei; JP
  • 山口 天和 YAMAGUCHI Takatomo; JP
  • 原 大介 HARA Daisuke; JP
Mandataires
  • 油井 透 YUI Tohru; 東京都千代田区飯田橋四丁目6番1号 21東和ビル3F 21 TOWA BLDG. 3F, 6-1, Iidabashi 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1020072, JP
Données relatives à la priorité
2010-16530022.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) DEVICE FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'UN SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
Abrégé
(EN)
Disclosed is a device for treating a substrate, which comprises: a treatment chamber which treats a substrate inside a body to be induction heated; a substrate holding body which vertically holds a plurality of substrates inside the treatment chamber in such a way that gaps are formed therebetween; a first heat exchange part which supports the substrate holding body from underneath the substrate holding body inside the treatment chamber and exchanges heat with gas inside the treatment chamber; a second heat exchange part which is disposed horizontally with respect to the first heat exchange part inside the treatment chamber with a gap formed between the first and second heat exchange parts and which exchanges heat with the gas inside the treatment chamber; and an induction heating part which performs, outside of the body to be induction heated, induction heating of the body to be induction heated.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de traitement d'un substrat, qui comporte : une chambre de traitement qui traite un substrat à l'intérieur d'un corps à chauffer par induction ; un corps de maintien de substrats qui maintient verticalement une pluralité de substrats à l'intérieur de la chambre de traitement de façon à ménager des intervalles entre eux ; un premier composant d'échange de chaleur qui soutient le corps de maintien de substrats par-dessous ledit corps de maintien de substrats à l'intérieur de la chambre de traitement et qui échange de la chaleur avec un gaz à l'intérieur de la chambre de traitement ; un deuxième composant d'échange de chaleur qui est disposé horizontalement par rapport au premier composant d'échange de chaleur à l'intérieur de la chambre de traitement, un intervalle étant ménagé entre les premier et deuxième composants d'échange de chaleur, et qui échange de la chaleur avec le gaz à l'intérieur de la chambre de traitement ; et un composant de chauffage par induction qui réalise, à l'extérieur du corps à chauffer par induction, un chauffage par induction du corps à chauffer par induction.
(JA)
 被誘導体内で基板を処理する処理室と、該処理室内で複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体と、前記処理室内で前記基板保持体を該基板保持体の下方側から支持し前記処理室内のガスと熱交換する第一熱交換部と、前記処理室内で前記第一熱交換部の水平方向に該第一熱交換部と間隙を成して設けられ前記処理室内のガスと熱交換する第二熱交換部と、前記被誘導体の外側で該被誘導体を誘導加熱する誘導加熱部とを有する。
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international