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1. WO2012011397 - FOUR DE CHAUFFAGE DE SUBSTRAT

Numéro de publication WO/2012/011397
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/065705
Date du dépôt international 08.07.2011
CIB
H01L 21/31 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
CPC
H01L 21/67109
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67109mainly by convection
H01L 21/67115
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67115mainly by radiation
Déposants
  • 株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP (AllExceptUS)
  • 鈴木 康正 SUZUKI, Yasumasa [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 清水 三郎 SHIMIZU, Saburo [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 手塚 和男 TEZUKA, Kazuo [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 鈴木 康正 SUZUKI, Yasumasa; JP
  • 清水 三郎 SHIMIZU, Saburo; JP
  • 手塚 和男 TEZUKA, Kazuo; JP
Mandataires
  • 石島 茂男 ISHIJIMA, Shigeo; 東京都港区虎ノ門1丁目2-18 虎ノ門興業ビル3階 Toranomonkougyou Bldg., 3F, 1-2-18, Toranomon, Minato-ku, Tokyo 1050001, JP
Données relatives à la priorité
2010-16550023.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE HEATING FURNACE
(FR) FOUR DE CHAUFFAGE DE SUBSTRAT
(JA) 基板加熱炉
Abrégé
(EN)
Disclosed is a substrate heating furnace that can heat a plurality of substrates simultaneously while cooling a furnace core pipe. The furnace core pipe (11) is formed from ceramic that transmits infrared rays. Infrared rays from a lamp heating heater (15) positioned between the furnace core pipe (11) and a reflector (14) are radiated on to and heat the substrates (12), which are held by substrate holding sections (13) and face the opposite surface to the inner peripheral side surface of the furnace core pipe (11). The reflector (14) is arranged at a position away from the outer peripheral side surface of the furnace core pipe (11) and surrounding the outer peripheral side surface of the furnace core pipe (11). Air and other fluid that transmits infrared rays are blown along a flow path (19) between the furnace core pipe (11) and the reflector (14) and cool the furnace core pipe (11).
(FR)
L'invention concerne un four de chauffage de substrat capable de chauffer plusieurs substrats simultanément tout en refroidissant un conduit de coeur de four. Ledit conduit de coeur de four (11) est formé à base de céramique qui transmet des rayons infrarouges. Ces rayons, provenant d'un radiateur (15) chauffant une lampe placé entre le conduit de coeur de four (11) et un réflecteur (14), rayonnent et chauffent les substrats (12), qui sont retenus par des sections de retenue de substrats (13) et regardent la surface opposée à la surface latérale périphérique interne du conduit de coeur de four (11). Le réflecteur (14) est disposé éloigné de la surface latérale périphérique externe du conduit de coeur de four (11) et entourant ladite surface latérale périphérique externe du conduit de coeur de four (11). L'air et autre fluide qui transmet des rayons infrarouges sont soufflés le long d'un chemin d'écoulement (19) entre le conduit de coeur de four (11) et le réflecteur (14) et refroidissent ledit conduit de coeur de four (11).
(JA)
 炉心管を冷却しながら、同時に複数枚の基板を加熱できる基板加熱炉を提供する。 炉心管11を赤外線を透過するセラミックスで形成し、炉心管11の内周側面と対面する向きに向けられて基板保持部13に保持された基板12に、炉心管11とリフレクタ14との間に配置されたランプ加熱ヒーター15から赤外線を照射して加熱する。リフレクタ14は炉心管11の外周側面と離間した位置に、炉心管11の外周側面を取り囲んで配置され、炉心管11とリフレクタ14との間の流路19に送風部17により空気等の赤外線を透過する流体が吹き流されて、炉心管11が冷却される。
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