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Paramétrages

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1. WO2012011329 - CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE EN MATÉRIAU MAGNÉTIQUE POURVUE DE SILLONS SUR SA FACE ARRIÈRE

Numéro de publication WO/2012/011329
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/063216
Date du dépôt international 09.06.2011
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 12.09.2011
CIB
C23C 14/35 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
34Pulvérisation cathodique
35par application d'un champ magnétique, p.ex. pulvérisation au moyen d'un magnétron
CPC
C23C 14/3407
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
C23C 14/3414
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
C23C 14/35
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
35by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
H01J 37/3405
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3402using supplementary magnetic fields
3405Magnetron sputtering
H01J 37/3423
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3411Constructional aspects of the reactor
3414Targets
3423Shape
H01J 37/3426
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3411Constructional aspects of the reactor
3414Targets
3426Material
Déposants
  • JX日鉱日石金属株式会社 JX Nippon Mining & Metals Corporation [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目6番3号 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164, JP (AllExceptUS)
  • 佐藤 敦 SATO Atsushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 佐藤 敦 SATO Atsushi; JP
Mandataires
  • 小越 勇 OGOSHI Isamu; 東京都港区虎ノ門3丁目1番10号 第2虎ノ門電気ビル5階 小越国際特許事務所 OGOSHI International Patent Office, Daini-Toranomon Denki Bldg., 5F, 1-10, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001, JP
Données relatives à la priorité
2010-16608623.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) MAGNETIC MATERIAL SPUTTERING TARGET PROVIDED WITH GROOVE IN REAR FACE OF TARGET
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE EN MATÉRIAU MAGNÉTIQUE POURVUE DE SILLONS SUR SA FACE ARRIÈRE
(JA) ターゲットの裏面に溝を備えた磁性材スパッタリングターゲット
Abrégé
(EN)
Disclosed is a disk-shaped magnetic material sputtering target which has a thickness of 1 to 10 mm and comprises at least one circular groove on the rear face of the target. The circular groove is centred at the centre of the disk-shaped target and has a width of 5 to 20 mm and a depth of 0.1 to 3.0 mm. Inter-groove spacing is at least 10 mm. A non-magnetic material having thermal conductivity of 20 W/m∙K or more is embedded in the groove. In order to eliminate defects when the target is a magnetic material, sputtering efficiency is increased by increasing the leakage magnetic flux density, increasing the spread of the plasma, and improving the rate of deposition, and in addition local erosion is suppressed and erosion of the target surface is made to be uniform to thereby improve the utilisation efficiency of the magnetic target.
(FR)
L'invention concerne une cible de pulvérisation cathodique en matériau magnétique en forme de disque d'une épaisseur de 1 à 10 mm qui comprend au moins un sillon circulaire sur sa face arrière. Le sillon circulaire est centré sur la cible en forme de disque et a une largeur de 5 à 20 mm et une profondeur de 0,1 à 3,0 mm. L'écartement entre sillons est d'au moins 10 mm. Un matériau amagnétique ayant une conductivité thermique d'au moins 20 W/m.K est placé dans le sillon afin d'éliminer les défauts liés aux cibles magnétiques. L'efficacité de pulvérisation est accrue en augmentant la densité de flux magnétique de fuite, ce qui amplifie l'étalement du plasma et améliore la vitesse de dépôt, et l'érosion locale est supprimée, ce qui rend l'usure de la surface de la cible uniforme, améliorant ainsi l'efficacité d'utilisation de la cible magnétique.
(JA)
厚みが1~10mmである円板状の磁性材スパッタリングターゲットであって、該ターゲットの裏面に、幅が5~20mm、深さが0.1~3.0mmである該円板状ターゲットの中心を中心とする少なくとも1個の円溝を有し、各溝の間隔は10mm以上であり、かつ前記溝に、熱伝導率が20W/m・K以上である非磁性材料が埋め込まれていることを特徴とする磁性材スパッタリングターゲット。ターゲットが磁性材である場合の欠点を解消するために、漏洩磁束密度が大きくなるように工夫し、プラズマの広がりを大きく、かつ堆積速度を向上させてスパッタリング効率が増加させ、さらに局部的なエロージョンを抑制して、ターゲット表面のエロージョンを均一化し、磁性材ターゲットの使用効率を向上させることを課題とする。
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