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Paramétrages

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1. WO2012011171 - DISPOSITIF DE GRAVURE

Numéro de publication WO/2012/011171
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2010/062267
Date du dépôt international 21.07.2010
CIB
H01L 21/3065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H05H 1/46 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
HTECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24Production du plasma
46utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
CPC
H01J 37/32091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
32091the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
H01J 37/321
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
321the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
H01J 37/32568
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32532Electrodes
32568Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
H01L 21/3065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
Déposants
  • トヨタ自動車株式会社 TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 愛知県豊田市トヨタ町1番地 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571, JP (AllExceptUS)
  • 上條 拓真 KAMIJO Takuma [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 上條 拓真 KAMIJO Takuma; JP
Mandataires
  • 特許業務法人 快友国際特許事務所 KAI-U PATENT LAW FIRM; 愛知県名古屋市中村区名駅二丁目45番14号 日石名駅ビル7階 NISSEKI MEIEKI BUILDING 7F, 45-14, Meieki 2-chome, Nakamura-ku, Nagoya-shi, Aichi 4500002, JP
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ETCHING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE GRAVURE
(JA) エッチング装置
Abrégé
(EN)
Disclosed is an etching device that uses a plasma to etch a target object. Said device has a stage, a plasma-generation means, a central electrode, and an outer electrode. The stage has a mounting surface on which the target object is placed. The plasma-generation means generates a plasma in a high concentration in a space, above the stage, surrounding the central axis of the mounting surface. The central electrode is disposed, below the space in which the plasma-generation means generates the aforementioned plasma, at a position through which the aforementioned central axis passes. The outer electrode is disposed above the stage and below the central electrode, and viewed along the aforementioned central axis, extends around the periphery of the central electrode. The central electrode and the outer electrode are designed such that the electric potentials thereof are controllable.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de gravure qui utilise un plasma pour graver un objet. Ledit dispositif comporte un plateau, un moyen de production de plasma, une électrode centrale et une électrode externe. Le plateau comporte une surface de montage sur laquelle est placé l'objet. Le moyen de production de plasma génère un plasma fortement concentré dans un espace situé au-dessus du plateau et entourant l'axe central de la surface de montage. L'électrode centrale est disposée en dessous de l'espace dans lequel ledit plasma est généré, à une position par laquelle passe ledit axe central. L'électrode externe est disposée au-dessus du plateau et en dessous de l'électrode centrale, et vue le long dudit axe central, elle s'étend autour de la périphérie de l'électrode centrale. L'électrode centrale et l'électrode externe sont conçues de telle sorte que leurs potentiels électriques peuvent être contrôlés.
(JA)
 プラズマを用いて被加工物をエッチングするエッチング装置であって、ステージとプラズマ発生手段と中央電極と外周電極を有している。ステージは、載置面を有している。載置面には、被加工物が載置される。プラズマ発生手段は、ステージの上方において、載置面の中心軸上よりも、その中心軸の周囲の空間で高濃度にプラズマを発生させる。中央電極は、プラズマ発生手段がプラズマを発生させる空間よりも下側に設置されており、前記中心軸が通過する位置に設置されている。中央電極は、その電位を制御可能に構成されている。外周電極は、ステージよりも上側、かつ、中央電極よりも下側に設置されており、前記中心軸に沿って見たときに、中央電極の周囲に沿って伸びている。外周電極は、その電位を制御可能に構成されている。
Également publié en tant que
DE1120100036578
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