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Paramétrages

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1. WO2012010816 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2012/010816
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/GB2011/001033
Date du dépôt international 11.07.2011
CIB
H01L 21/316 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314Couches inorganiques
316composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
H01L 29/51 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
43caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
49Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
51Matériaux isolants associés à ces électrodes
H01L 29/78 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/772 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
H01L 29/205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
12caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
20comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
201comprenant plusieurs composés
205dans différentes régions semi-conductrices
H01L 23/31 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31caractérisées par leur disposition
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
H01L 21/02178
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02172the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
02175characterised by the metal
02178the material containing aluminium, e.g. Al2O3
H01L 21/02233
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02225characterised by the process for the formation of the insulating layer
02227formation by a process other than a deposition process
0223formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
02233of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
H01L 21/02255
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02225characterised by the process for the formation of the insulating layer
02227formation by a process other than a deposition process
02255formation by thermal treatment
H01L 21/02518
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
H01L 23/291
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
29characterised by the material ; , e.g. carbon
291Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
Déposants
  • QINETIQ LIMITED [GB/GB]; Cody Technology Park Ively Road, Farnborough Hampshire GU14 0LX, GB (AllExceptUS)
  • EMENY, Martin, Trevor [GB/GB]; GB (UsOnly)
  • JACKSON, Peregrine, Orr [GB/GB]; GB (UsOnly)
  • WALLIS, David, John [GB/GB]; GB (UsOnly)
Inventeurs
  • EMENY, Martin, Trevor; GB
  • JACKSON, Peregrine, Orr; GB
  • WALLIS, David, John; GB
Mandataires
  • HUMPHREYS, Elizabeth, Jane; Qinetiq Limited Intellectual Property Malvern Technology Centre St Andrews Road Malvern Worcestershire WR14 3PS, GB
Données relatives à la priorité
1012236.421.07.2010GB
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF FABRICATION OF SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé
(EN)
The invention relates to a method of fabricating a semiconductor device, the method comprising the steps of: providing a stacked semiconductor structure comprising a substrate (1), a buffer layer (2) and one or more device layers (3); depositing a layer of AlSb (4) on one or more regions of the upper surface of the stacked structure; and oxidising the AlSb layer in the presence of water to form a layer of aluminium oxide (5) on the one or more regions of the upper surface. The semiconductor device is preferably a field effect transistor, and the method preferably comprises the additional step of depositing source, drain and/or gate electrodes (6, 7, 8). In preferred embodiments, the method is controlled so as to avoid exposing the intermediate AlSb structure to the atmosphere and/or the oxidation step is conducted at a temperature between 100° and 300°C.
(FR)
La présente invention a trait à un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, lequel procédé comprend les étapes consistant : à fournir une structure semi-conductrice superposée comprenant un substrat (1), une couche tampon (2) et une ou plusieurs couches de dispositif (3) ; à déposer une couche d'AlSb (4) sur une ou plusieurs zones de la surface supérieure de la structure superposée ; et à oxyder la couche d'AlSb en présence d'eau de manière à former une couche d'oxyde d'aluminium (5) sur la ou les zones de la surface supérieure. Le dispositif à semi-conducteur est de préférence un transistor à effet de champ, et le procédé comprend de préférence l'étape supplémentaire consistant à déposer des électrodes de source, de drain et/ou de grille (6, 7, 8). Selon des modes de réalisation préférés, le procédé est contrôlé de manière à éviter l'exposition de la structure AlSb intermédiaire à l'atmosphère et/ou l'étape d'oxydation est menée à une température comprise entre 100 °C et 300 °C.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international