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Paramétrages

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1. WO2012010319 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT TMR

Numéro de publication WO/2012/010319
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/EP2011/003680
Date du dépôt international 22.07.2011
CIB
H01L 43/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
12Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 43/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
12Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Déposants
  • GRÜTZEDIEK, Ursula [DE/DE]; DE (AllExceptUS)
  • SCHEERER, Jutta [DE/DE]; DE (AllExceptUS)
  • SCHEERER, Joachim [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • GRÜTZEDIEK, Hartmut [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • SCHEERER, Joachim; DE
  • GRÜTZEDIEK, Hartmut; DE
Données relatives à la priorité
10007663.723.07.2010EP
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES TMR-BAUELEMENTS
(EN) METHOD FOR PRODUCING A TMR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT TMR
Abrégé
(DE)
Das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren für TMR-Bauelemente zeichnet sich durch einen zweistufigen Ätzprozess aus, bei dem in zwei aufeinanderfolgenden Schritten die einzelnen Schichten des TMR-Schichtstapels strukturiert werden. Zunächst wird der TMR-Schichtstapel (B) auf einen Träger A abgeschieden. Der TMR-Schichtstapel (B) weist eine erste und zweite ferromagnetische Schicht (B1, B2) auf, die von einer isolierenden Schicht (B3) getrennt sind. Auf der ersten ferromagnetischen Schicht (B1) befindet sich eine Kontaktschicht (B5). In dem ersten Schritt des zweistufigen Ätzprozesses wird nur die erste ferromagnetische Schicht (B1) des Schichtstapels (B) geätzt bis die Isolationsschicht (B3) frei liegt, während in dem zweiten Schritt die Isolationsschicht (B3) und die zweite ferromagnetische Schicht (B2) geätzt werden, wobei der empfindliche Schichtübergang geschützt wird. Von Vorteil ist bei dem erfindungsgemäßen Verfahren, dass in dem ersten Schritt, der ein sehr vorsichtiges Vorgehen erfordert, um nicht den empfindlichen Schichtübergang durch zu starken lonenbeschuss zu belasten, eine nur verhältnismäßig dünne Schicht des TMR-Schichtstapels entfernt zu werden braucht. Bei dem zweiten Schritt hingegen, ist der empfindliche Schichtübergang geschützt, so dass mit einem relativ starken lonenbeschuss ohne die Gefahr der Belastung des Schichtübergangs geätzt werden kann.
(EN)
The invention relates to a method for producing TMR components, characterized by a two-stage etching process in which the individual layers of the TMR layer stack are structured in two consecutive steps. According to the invention, the TMR layer stack (B) is first deposited on a carrier A. The TMR layer stack (B) has a first and second ferromagnetic layer (B1, B2), which are separated from an isolating layer (B3). A contact layer (B5) is located on the first ferromagnetic layer (B1). In the first step of the two-stage etching process according to the invention, only the first ferromagnetic layer (B1) of the layer stack (B) is etched until the isolation layer (B3) is exposed, while in the second step the isolation layer (B3) and the second ferromagnetic layer (B2) are etched, wherein the sensitive layer transition is protected. In the method according to the invention, it is advantageous that in the first step, which requires a very careful approach in order not to stress the sensitive layer transition by ion bombardment which is too strong, only a relatively thin layer of the TMR layer stack must be removed. In the second step, by contrast, the sensitive layer transition is protected so that etching can be carried out with a relatively strong ion bombardment without risk of stressing the layer transition.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication de composants magnétorésistifs à effet tunnel (TMR). Le procédé selon l'invention se caractérise par un processus de gravure en deux étapes, selon lequel les couches individuelles de la pile de couches TMR sont structurées en deux étapes successives. La pile de couches TMR (B) est d'abord déposée sur un substrat A. La pile de couches TMR (B) comporte une première et une seconde couche ferromagnétique (B1, B2), séparées par une couche isolante (B3). Une couche de contact (B5) se trouve sur la première couche ferromagnétique (B1). Au cours de la première étape du processus de gravure en deux étapes, seule la première couche ferromagnétique (B1) de la pile de couches (B) est gravée jusqu'à ce que la couche isolante (B3) soit dégagée, tandis qu'au cours de la seconde étape, la couche isolante (B3) et la seconde couche ferromagnétique (B2) sont gravées, la jonction sensible entre couches étant protégée. L'avantage du procédé selon l'invention est qu'au cours de la première étape, qui nécessite un traitement très prudent afin de ne pas exposer la jonction sensible entre couches à un bombardement ionique trop puissant, seule une couche relativement simple de la pile de couches TMR doit être enlevée. Lors de la seconde étape en revanche, la jonction sensible entre couches est protégée, de sorte qu'on peut effectuer la gravure avec un bombardement ionique relativement puissant sans risque d'exposition de ladite jonction.
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