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Paramétrages

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1. WO2012010292 - SEMI-CONDUCTEURS BASÉS SUR DES [1]BENZOTHIÉNO[3,2-B]-[1]-BENZOTHIOPHÈNES SUBSTITUÉS

Numéro de publication WO/2012/010292
Date de publication 26.01.2012
N° de la demande internationale PCT/EP2011/003605
Date du dépôt international 19.07.2011
CIB
C07D 495/04 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
07CHIMIE ORGANIQUE
DCOMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES
495Composés hétérocycliques contenant dans le système condensé au moins un hétérocycle comportant des atomes de soufre comme uniques hétéro-atomes du cycle
02dans lesquels le système condensé contient deux hétérocycles
04Systèmes condensés en ortho
H01L 51/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
C07D 495/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
07ORGANIC CHEMISTRY
DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
495Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
02in which the condensed system contains two hetero rings
04Ortho-condensed systems
C07F 9/655354
CCHEMISTRY; METALLURGY
07ORGANIC CHEMISTRY
FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
9Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic System
02Phosphorus compounds
547Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom
6553having sulfur atoms, with or without selenium or tellurium atoms, as the only ring hetero atoms
655345the sulfur atom being part of a five-membered ring
655354condensed with carbocyclic rings or carbocyclic ring systems
H01L 51/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
0002Deposition of organic semiconductor materials on a substrate
H01L 51/0074
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
005Macromolecular systems with low molecular weight, e.g. cyanine dyes, coumarine dyes, tetrathiafulvalene
0062aromatic compounds comprising a hetero atom, e.g.: N,P,S
0071Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
0074comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ringsystem, e.g. benzothiophene
H01L 51/0558
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0504the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
0508Field-effect devices, e.g. TFTs
0512insulated gate field effect transistors
0558characterised by the channel of the transistor
Y02E 10/549
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
54Material technologies
549organic PV cells
Déposants
  • HERAEUS PRECIOUS METALS GMBH & CO. KG. [DE/DE]; Heraeusstrasse 12 - 14 63450 Hanau, DE (AllExceptUS)
  • MEYER-FRIEDRICHSEN, Timo [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • REUTER, Knud [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • ELSCHNER, Andreas [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • HALIK, Marcus [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • MEYER-FRIEDRICHSEN, Timo; DE
  • REUTER, Knud; DE
  • ELSCHNER, Andreas; DE
  • HALIK, Marcus; DE
Mandataires
  • HERZOG, Martin; HERZOG FIESSER & PARTNER Immermannstrasse 40 40210 Düsseldorf, DE
Données relatives à la priorité
102010031897.321.07.2010DE
61/368,32628.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTORS BASED ON SUBSTITUTED [1]BENZOTHIENO[3,2-b] [1]-BENZOTHIOPHENES
(FR) SEMI-CONDUCTEURS BASÉS SUR DES [1]BENZOTHIÉNO[3,2-B]-[1]-BENZOTHIOPHÈNES SUBSTITUÉS
Abrégé
(EN)
The present invention relates to compounds of the general formula (I) wherein Z corresponds to - a C1-C22-alkyl radical substituted by halogen, phosphonic acid or phosphonic acid ester groups -P(O)(OR1)2 (wherein the radicals R1 can be identical or different and correspond to a hydrogen atom or C1-C12-alkyl), sulphonic acid groups -SO3H, halosilyl radicals -SiHalnR23-n (R2 = C1-C18- alkyl, n = an integer from 1 to 3), thiol groups or trialkoxysilyl radicals -Si(OR3)3 (R3 = C1-C18-alkyl), - a C5-C12-cycloalkyl radical substituted by halogen, phosphonic acid or phosphonic acid ester groups— P(O)(OR1)2 (wherein the radicals R1 can be identical or different and correspond to a hydrogen atom or C1-C12-alkyl), sulphonic acid groups -SO3H, halosilyl radicals -SiHalnR23-n (R2 = C1-C18- alkyl, n = an integer from 1 to 3), thiol groups or trialkoxysilyl radicals -Si(OR3)3 (R3 = C1-C18-alkyl), - a C6-C14-aryl radical or heteroaryl radical from the group of the thienyl, pyrryl, furyl or pyridyl radicals substituted by halogen, phosphonic acid or phosphonic acid ester groups -P(O)(OR1)2 (wherein the radicals R1 can be identical or different and correspond to a hydrogen atom or C1-C12-alkyl), sulphonic acid groups -S03H, halosilyl radicals -SiHalnR2 3-n (R2 = C1-C18- alkyl, n = an integer from 1 to 3), thiol groups or trialkoxysilyl radicals -Si(OR3)3 (R3 = C1-C18-alkyl), or - a C7-C30-aralkyl radical optionally substituted by halogen, phosphonic acid or phosphonic acid ester groups -P(O)(OR1)2 (wherein the radicals R1 can be identical or different and correspond to a hydrogen atom or C1-C12-alkyl), sulphonic acid groups -SO3H, halosilyl radicals -SiHalnR23-n (R2 = C1-C18- alkyl, n = an integer from 1 to 3), thiol groups or trialkoxysilyl radicals -Si(OR3)3 (R3 = C1-C18-alkyl) or a trialkylsilyl radical R5R6R7Si, in which R5, R6, R7 independently of each other are identical or different C1-C18-alkyl radicals. The present invention also relates to a semiconductor layer, an electronic component, a process for the production of an electronic component, the electronic component obtainable by this process and the use of compounds of the general formula (I).
(FR)
La présente invention concerne des composés de formule générale (I) où Z correspond à - un radical alkyle en C1-C22 substitué par des halogènes, des groupements acide phosphonique ou ester phosphonique -P(O)(OR1)2 (où les radicaux R1 peuvent être identiques ou différents et correspondent à un atome d'hydrogène ou un groupement alkyle en C1-C12), des groupements acide sulfonique -SO3H, des radicaux halogénosilyle -SiHalnR23-n (R2 = alkyle en C1-C18, n = entier compris entre 1 et 3), des groupements thiol ou des radicaux trialcoxysilyle -Si(OR3)3 (R3 = alkyle en C1-C18), - un radical cycloalkyle en C5-C12 substitué par des halogènes, des groupements acide phosphonique ou ester phosphonique — P(O)(OR1)2 (où les radicaux R1 peuvent être identiques ou différents et correspondent à un atome d'hydrogène ou à un groupement alkyle en C1-C12), des groupements acide sulfonique -SO3H, des radicaux halogénosilyle -SiHalnR23-n (R2 = alkyle en C1-C18, n = entier compris entre 1 et 3), des groupements thiol ou des radicaux trialcoxysilyle -Si(OR3)3 (R3 = alkyle en C1-C18), - un radical aryle ou hétéroaryle en C6-C14 choisis dans le groupe constitué par les radicaux thiényle, pyrryle, furyle et pyridyle substitué par des halogènes, des groupements acide phosphonique ou ester phosphonique -P(O)(OR1)2 (où les radicaux R1 peuvent être identiques ou différents et correspondent à un atome d'hydrogène ou un groupement alkyle en C1-C12), des groupements acide sulfonique -SO3H, des radicaux halogénosilyle -SiHalnR23-n (R2 = alkyle en C1-C18, n = entier compris entre 1 et 3), des groupements thiol ou des radicaux trialcoxysilyle -Si(OR3)3 (R3 = alkyle en C1-C18), ou - un radical arylalkyle en C7-C30 éventuellement substitué par des halogènes, des groupements acide phosphonique ou ester phosphonique -P(O)(OR1)2 (où les radicaux R1 peuvent être identiques ou différents et correspondent à un atome d'hydrogène ou un groupement alkyle en C1-C12), des groupements acide sulfonique -SO3H, des radicaux halogénosilyle -SiHalnR23-n (R2 = alkyle en C1-C18, n = entier compris entre 1 et 3), des groupements thiol ou des radicaux trialcoxysilyle -Si(OR3)3 (R3 = alkyle en C1-C18), ou - un radical trialkylsilyle R5R6R7Si, où chacun des radicaux R5, R6, R7 représente un radical alkyle en C1-C18 indépendamment identique ou différent des autres. La présente invention concerne également une couche semi-conductrice, un composant électronique, un procédé de production d'un composant électronique, le composant électronique pouvant être obtenu par le biais dudit procédé et l'utilisation des composés de formule générale (I).
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