Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2012008554 - COMPOSITION DE PRÉCURSEUR ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM D'OXYDE CONDUCTEUR AMORPHE

Numéro de publication WO/2012/008554
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/066165
Date du dépôt international 08.07.2011
CIB
H01B 13/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
BCÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
13Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de conducteurs ou câbles
C01G 55/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
GCOMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
55Composés du ruthénium, du rhodium, du palladium, de l'osmium, de l'iridium, ou du platine
H01B 5/14 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
BCÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
5Conducteurs ou corps conducteurs non isolés caractérisés par la forme
14comprenant des couches ou pellicules conductrices sur supports isolants
H01L 21/28 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
H01L 21/288 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
288à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
CPC
C01G 55/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
55Compounds of ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, or platinum
C01G 55/002
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
55Compounds of ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, or platinum
002Compounds containing, besides ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, or platinum, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
C01P 2002/72
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2002Crystal-structural characteristics
70defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
72by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
C01P 2006/40
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2006Physical properties of inorganic compounds
40Electric properties
H01B 1/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
1Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
06mainly consisting of other non-metallic substances
08oxides
H01L 21/02422
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02422Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
Déposants
  • 独立行政法人科学技術振興機構 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 埼玉県川口市本町4丁目1番8号 1-8, Honcho 4-chome, Kawaguchi-shi, Saitama 3320012, JP (AllExceptUS)
  • 下田 達也 SHIMODA Tatsuya [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 李 金望 LI Jinwang [CN/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 下田 達也 SHIMODA Tatsuya; JP
  • 李 金望 LI Jinwang; JP
Mandataires
  • 大島 正孝 OHSHIMA Masataka; 東京都新宿区新宿1丁目17番11号BN御苑ビル 大島特許事務所 OHSHIMA PATENT OFFICE BN Gyoen Building, 17-11, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Données relatives à la priorité
2010-15947514.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PRECURSOR COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING AMORPHOUS CONDUCTIVE OXIDE FILM
(FR) COMPOSITION DE PRÉCURSEUR ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM D'OXYDE CONDUCTEUR AMORPHE
(JA) アモルファス導電性酸化物膜を形成するための前駆体組成物および方法
Abrégé
(EN)
The present invention provides a precursor composition for forming a conductive oxide film which has high electrical conductivity and in which an amorphous structure can be maintained steadily even when the film is heated to a high temperature, in a simple liquid phase process. This precursor composition comprises: at least one compound selected from the group consisting of carboxylic acid salts, nitric acid salts and sulfuric acid salts of lanthanoid elements (excluding cerium), at least one compound selected from the group consisting of carboxylic acid salts, nitrosyl carboxylic acid salts, nitrosyl nitric acid salts and nitrosyl sulfuric acid salts of ruthenium, iridium and rhodium, and a solvent comprising at least one compound selected from the group consisting of carboxylic acids, alcohols and ketones.
(FR)
La présente invention porte sur une composition de précurseur pour la formation d'un film d'oxyde conducteur qui présente une conductivité électrique élevée et dans lequel une structure amorphe peut être maintenue sans interruption même lorsque le film est chauffé à une température élevée, dans un procédé en phase liquide simple. Cette composition de précurseur comporte : au moins un composé choisi dans le groupe constitué par les sels d'acide carboxylique, les sels d'acide nitrique et les sels d'acide sulfurique des lanthanides (à l'exclusion du cérium), au moins un composé choisi dans le groupe constitué par les sels d'acide carboxylique, les sels d'acide carboxylique de nitrosyle, les sels d'acide nitrique de nitrosyle et les sels de sulfate acide de nitrosyle du ruthénium, de l'iridium et du rhodium, et un solvant comportant au moins un composé choisi dans le groupe constitué par les acides carboxyliques, les alcools et les cétones.
(JA)
 本発明は、高い導電性を示すとともに、高温に加熱してもアモルファス構造が安定に維持される導電性酸化物膜を、簡易な液相プロセスによって形成するための前駆体組成物を提供するものである。本発明の前駆体組成物は、ランタノイド(ただし、セリウムを除く。)のカルボン酸塩、硝酸塩および硫酸塩よりなる群から選択される少なくとも1種と、ルテニウム、イリジウムまたはロジウムのカルボン酸塩、ニトロシルカルボン酸塩、ニトロシル硝酸塩およびニトロシル硫酸塩よりなる群から選択される少なくとも1種と、カルボン酸、アルコールおよびケトンよりなる群から選択される少なくとも1種を含有する溶媒と、を含有する。
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international