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Paramétrages

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1. WO2012008521 - APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA

Numéro de publication WO/2012/008521
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/066077
Date du dépôt international 14.07.2011
CIB
H05H 1/46 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
HTECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24Production du plasma
46utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
C23C 16/509 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
50au moyen de décharges électriques
505utilisant des décharges à radiofréquence
509utilisant des électrodes internes
H01L 21/205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
H01L 21/3065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H05H 1/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
HTECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
CPC
H01J 37/32082
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
H01J 37/32183
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
32174Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
32183Matching circuits, impedance matching circuits per se H03H7/38 and H03H7/40
H01J 37/32532
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32532Electrodes
H01J 37/32577
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32532Electrodes
32577Electrical connecting means
H05H 1/46
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
HPLASMA TECHNIQUE
1Generating plasma; Handling plasma
24Generating plasma
46using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Déposants
  • 国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 宮城県仙台市青葉区片平二丁目1番1号 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577, JP (AllExceptUS)
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP (AllExceptUS)
  • 平山 昌樹 HIRAYAMA, Masaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 大見 忠弘 OHMI, Tadahiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 平山 昌樹 HIRAYAMA, Masaki; JP
  • 大見 忠弘 OHMI, Tadahiro; JP
Mandataires
  • 萩原康司 HAGIWARA, Yasushi; 東京都新宿区住吉町1-20 角張ビル はづき国際特許事務所 Hazuki International, Kakubari Building, 1-20, Sumiyoshi-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 1620065, JP
Données relatives à la priorité
2010-16044915.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Abrégé
(EN)
[Problem] To provide a plasma processing apparatus and a method therefor, wherein uniform plasma can be excited upon a substrate with a large area. [Solution] A plasma processing apparatus (10) comprises: a vacuum container (100) that further comprises a mounting base (115) upon which a substrate (G) is to be mounted, and plasma space above the mounting base where plasma is to be generated; first coaxial pipes (225) that supply high-frequency waves for exciting plasma into the vacuum container (100); guiding paths (205) that are connected to the first coaxial pipes (225), and open in slit-form towards the plasma space; and an adjusting means for adjusting the wavelength of the high-frequency waves propagating the guiding paths (205) in the longitudinal direction of the slit-formed openings thereof. A high-frequency electric field that is uniform along the longitudinal direction of the slit-formed opening can be applied, by making the wavelength of the high-frequency waves propagating the guiding paths (205) sufficiently long with the adjusting means. This enables uniform plasma to be excited upon a substrate with a large area.
(FR)
L'invention a pour objet de réaliser un appareil de traitement au plasma et un procédé à cet effet, selon lequel un plasma uniforme peut être excité sur un substrat ayant une surface étendue. Un appareil de traitement au plasma (10) selon l'invention comprend : une cuve sous vide (100) incluant en outre une base de montage (115) sur laquelle est monté un substrat (G) et un espace à plasma au-dessus de la base de montage dans lequel sera généré le plasma ; des premiers tuyaux coaxiaux (225) qui délivrent des ondes à haute fréquence pour exciter le plasma dans la cuve sous vide (100) ; des trajets de guidage (205) qui sont reliés aux premiers tuyaux coaxiaux (225) et qui sont ouverts en forme de fente en direction de l'espace à plasma ; et des moyens de réglage pour régler la longueur d'onde des ondes à haute fréquence qui se propagent dans les trajets de guidage (205) dans le sens longitudinal de leurs ouvertures en forme de fente. En rendant la longueur d'onde des ondes à haute fréquence qui se propagent dans les trajets de guidage (205) suffisamment longue avec les moyens de réglage, il est possible d'appliquer un champ électrique à haute fréquence qui est uniforme dans le sens longitudinal de l'ouverture en forme de fente. Cela permet une excitation uniforme du plasma sur un substrat ayant une surface étendue.
(JA)
【課題】大面積基板上に均一なプラズマを励起することが可能なプラズマ処理装置及び方法を提供する。 【解決手段】プラズマ処理装置10は、内部に基板Gを載置する載置台115と載置台上方においてプラズマが発生されるプラズマ空間とを有する真空容器100と、真空容器100の内部にプラズマを励起するための高周波を供給する第1の同軸管225と、第1の同軸管225に接続され、プラズマ空間に向けてスリット状に開口する導波路205と、導波路205を前記スリット状の開口の長手方向に伝搬する高周波の波長を調整する調整手段とを有する。前記調整手段により導波路205を伝搬する高周波の波長を十分に長くすることにより、前記スリット状の開口に長手方向に沿って均一な高周波電界を印加することができる。これにより、大面積基板上に均一なプラズマを励起することができる。
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