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Paramétrages

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1. WO2012008387 - ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2012/008387
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/065733
Date du dépôt international 08.07.2011
CIB
H01L 27/14 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
CPC
H01L 27/1462
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1462Coatings
H01L 27/14621
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1462Coatings
14621Colour filter arrangements
H01L 27/14623
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1462Coatings
14623Optical shielding
H01L 27/14627
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14625Optical elements or arrangements associated with the device
14627Microlenses
H01L 27/1464
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1464Back illuminated imager structures
H01L 27/14685
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
14685Process for coatings or optical elements
Déposants
  • ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南1丁目7番1号 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP (AllExceptUS)
  • 前田 兼作 MAEDA Kensaku [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 松谷 弘康 MATSUGAI Hiroyasu [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 守屋 雄介 MORIYA Yusuke [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 前田 兼作 MAEDA Kensaku; JP
  • 松谷 弘康 MATSUGAI Hiroyasu; JP
  • 守屋 雄介 MORIYA Yusuke; JP
Mandataires
  • 稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; 東京都新宿区西新宿7丁目11番18号 711ビルディング4階 711 Building 4F, 11-18, Nishi-Shinjuku 7-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600023, JP
Données relatives à la priorité
2010-16108315.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, PROCESS FOR PRODUCING SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法、電子機器
Abrégé
(EN)
The present invention relates to a solid-state imaging element and a solid-state imaging element production method which can provide a solid-state imaging element having excellent light-condensing properties, and also relates to an electronic device. The solid-state imaging element comprises a semiconductor base body (11) and a photoelectric conversion part formed on the semiconductor base body (11). The solid-state imaging element is provided with an organic material layer and an inorganic material layer which are laminated on the semiconductor base body through at least one stress-relaxing layer (22). This technique can be applied to, for example, a solid-state imaging element having a microlens arranged on a pixel or the like.
(FR)
La présente invention concerne un élément d'imagerie à semi-conducteurs et un procédé de fabrication qui permet d'obtenir un élément d'imagerie à semi-conducteurs avec d'excellentes propriétés de condensation de la lumière, ainsi qu'un dispositif électronique. Ledit élément d'imagerie à semi-conducteurs comprend un corps de base semi-conducteur (11) et une partie de conversion photoélectrique formée sur le corps de base semi-conducteur (11). L'élément d'imagerie à semi-conducteurs est pourvu d'une couche de matériau organique et d'une couche de matériau inorganique qui sont déposées sur le corps de base semi-conducteur par l'intermédiaire d'au moins une couche de relaxation des contraintes (22). Cette technique peut également être appliquée, par exemple, à un élément d'imagerie à semi-conducteurs comportant une microlentille disposée sur un pixel ou son équivalent.
(JA)
本発明は、集光特性に優れた固体撮像素子を提供することができる固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法、電子機器に関する。 固体撮像素子は、半導体基体11と、半導体基体11に形成されている光電変換部とを有している。そして、固体撮像素子の半導体基体上には、少なくとも1層以上の応力緩和層22を介して積層されている有機材料層と無機材料層とが設けられている。本技術は、例えば、画素上にマイクロレンズを備える固体撮像素子等に適用することができる。
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