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Paramétrages

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1. WO2012008209 - DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2012/008209
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/060716
Date du dépôt international 10.05.2011
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 31.10.2011
CIB
H01L 27/14 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
H04N 5/378 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
378Circuits de lecture, p.ex. circuits d’échantillonnage double corrélé , amplificateurs de sortie ou convertisseurs A/N
CPC
H01L 27/14605
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14603Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
14605Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
H01L 27/14621
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1462Coatings
14621Colour filter arrangements
H01L 27/14627
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14625Optical elements or arrangements associated with the device
14627Microlenses
H01L 27/14643
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14643Photodiode arrays; MOS imagers
H01L 27/14812
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
148Charge coupled imagers
14806Structural or functional details thereof
14812Special geometry or disposition of pixel-elements, address lines or gate-electrodes
H01L 31/0232
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0232Optical elements or arrangements associated with the device
Déposants
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM Corporation [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP (AllExceptUS)
  • 沖川 満 OKIGAWA, Mitsuru [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 沖川 満 OKIGAWA, Mitsuru; JP
Mandataires
  • 小林 和憲 KOBAYASHI, Kazunori; 東京都豊島区北大塚2丁目25番1号 太陽生命大塚ビル3階 Taiyo-seimei-otsuka Bldg. 3F, 25-1, Kita-otsuka 2-chome, Toshima-ku, Tokyo 1700004, JP
Données relatives à la priorité
2010-15798612.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 固体撮像装置
Abrégé
(EN)
Provided is a solid-state image pickup device for phase difference auto-focusing (AF), wherein sensitivity of a phase difference detection pixel is improved without increasing cost. A CCD image sensor (10), i.e., a solid-state image pickup device, has four kinds of pixels, i.e., a first pixel (11a) to a fourth pixel (11d), which are arranged in a predetermined pattern. The pixels (11a-11d) have photodiodes (PDs) (20a-20d) and microlenses (21a-21d), respectively. Each of the microlenses (21a-21d) has the optical axis center thereof eccentrically disposed in the predetermined direction with respect to the center of each of the light receiving surface of each of the PDs (20a-20d). The microlenses (21a-21d) have parts thereof entered into adjacent pixels (11a-11d), respectively.
(FR)
L'invention porte sur un dispositif de capture d'image à semi-conducteur pour mise au point automatique (AF) par différence de phase, dans lequel la sensibilité d'un pixel de détection de différence de phase est améliorée sans augmenter le coût. Un capteur d'image CCD (10), c'est-à-dire un dispositif de capture d'image à semi-conducteur, possède quatre types de pixel, à savoir un premier pixel (11a) jusqu'à un quatrième pixel (11d), qui sont agencés selon un motif prédéterminé. Les pixels (11a-11d) comprennent des photodiodes (PD) (20a-20d) et des microlentilles (21a-21d), respectivement. Chacune des microlentilles (21a-21d) a son centre d'axe optique agencé de manière excentrée dans la direction prédéterminée par rapport au centre de chaque surface de réception de lumière de chacune des photodiodes (20a-2d). Les microlentilles (21a-21d) ont des parties de celles-ci introduites dans des pixels adjacents (11a-11d), respectivement.
(JA)
 位相差AF用の固体撮像装置において、コストアップを招くことなく、位相差検出画素の感度を向上させる。 固体撮像装置であるCCDイメージセンサ10は、所定のパターンで配列された第1画素11a~第4画素11dの4種類の画素を有している。各画素11a~11dは、PD20a~20dと、マイクロレンズ21a~21dとを有している。各PD20a~20dの受光面の中心に対して、その光軸中心を所定の方向に偏心させて各マイクロレンズ21a~21dを配置する。各マイクロレンズ21a~21dは、その一部が隣接する各画素11a~11dに入り込んでいる。
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