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Paramétrages

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1. WO2012008179 - PROCÉDÉ DE GRAVURE

Numéro de publication WO/2012/008179
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/056005
Date du dépôt international 15.03.2011
CIB
H01L 21/3065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
CPC
H01L 21/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
H01L 21/0273
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
0271comprising organic layers
0273characterised by the treatment of photoresist layers
H01L 21/205
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth ; solid phase epitaxy
205using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
H01L 21/302
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
H01L 21/30621
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
30604Chemical etching
30612Etching of AIIIBV compounds
30621Vapour phase etching
H01L 21/3065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
Déposants
  • SPPテクノロジーズ株式会社 SPP Technologies Co., Ltd. [JP/JP]; 東京都中央区晴海一丁目8番11号 オフィスタワーY8階 Office Tower Y 8F, 8-11 Harumi 1-Chome Chuo-ku, Tokyo 1046108, JP (AllExceptUS)
  • 大石 明光 OISHI, Akimitsu [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 村上 彰一 MURAKAMI, Shoichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 大石 明光 OISHI, Akimitsu; JP
  • 村上 彰一 MURAKAMI, Shoichi; JP
Mandataires
  • 村上 智司 MURAKAMI, Satoshi; 大阪府大阪市北区西天満二丁目6番8号 堂島ビルヂング7階 Dojima Building, 7th Floor, 6-8 Nishitemma 2-Chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047, JP
Données relatives à la priorité
2010-15764812.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ETCHING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE
(JA) エッチング方法
Abrégé
(EN)
Disclosed is an etching method, whereby a silicon carbide substrate can be etched with higher accuracy. The method is implemented by alternately repeating: a first etching step wherein the silicon carbide substrate (K) is heated to 200°C or higher, SF6 gas and O2 gas are supplied to the inside of a processing chamber and are brought into the plasma state, a bias potential is applied to a base having the silicon carbide substrate (K) placed thereon, and the silicon carbide substrate (K) is etched, while forming, as a protection film, a silicon oxide film on the silicon carbide substrate (K); and a second etching step wherein the silicon carbide substrate (K) is heated to 200°C or higher, the SF6 gas is supplied to the inside of the processing chamber and is brought into the plasma state, a bias potential is applied to the base, and the silicon carbide substrate (K) is isotropically etched.
(FR)
La présente invention a trait à un procédé de gravure, permettant de graver un substrat de carbure de silicium avec une plus grande précision. Le procédé est mis en œuvre en répétant en alternance : une première étape de gravure au cours de laquelle le substrat de carbure de silicium (K) est chauffé à une température supérieure ou égale à 200 °C, un gaz SF6 et un gaz O2 sont fournis à l'intérieur de la chambre de traitement et sont mis à l'état de plasma, une tension de polarisation est appliquée à une base sur laquelle est placé substrat de carbure de silicium (K), et le substrat de carbure de silicium (K) est gravé, tout en formant, en tant que film de protection, un film d'oxyde de silicium sur le substrat de carbure de silicium (K) ; et une seconde étape de gravure au cours de laquelle le substrat de carbure de silicium (K) est chauffé à une température supérieure ou égale à 200 °C, le gaz SF6 est fourni à l'intérieur de la chambre de traitement est mis à l'état de plasma, une tension de polarisation est appliquée à la base, et le substrat de carbure de silicium (K) est gravé de façon isotrope.
(JA)
 本発明は、より高精度に炭化珪素基板をエッチングすることができるエッチング方法に関する。炭化珪素基板Kを200℃以上に加熱し、SFガス及びOガスを処理チャンバ内に供給してプラズマ化し、炭化珪素基板Kが載置される基台にバイアス電位を与え、酸化シリコン膜を保護膜として炭化珪素基板Kに形成しつつ炭化珪素基板Kをエッチングする第1エッチング工程と、炭化珪素基板Kを200℃以上に加熱し、SFガスを処理チャンバ内に供給してプラズマ化し、基台にバイアス電位を与え、炭化珪素基板Kを等方的にエッチングする第2エッチング工程とを交互に繰り返して実施する。
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