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1. WO2012008103 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN FILM SEMI-CONDUCTEUR CRISTALLIN ET APPAREIL DE FABRICATION D'UN FILM SEMI-CONDUCTEUR CRISTALLIN

Numéro de publication WO/2012/008103
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/003642
Date du dépôt international 27.06.2011
CIB
H01L 21/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
H01L 29/786 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
CPC
H01L 21/02422
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02422Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
H01L 21/02488
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02488Insulating materials
H01L 21/02532
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02532Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02675
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02656Special treatments
02664Aftertreatments
02667Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
02675using laser beams
H01L 21/02691
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02656Special treatments
02664Aftertreatments
02667Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
02691Scanning of a beam
H01L 21/2026
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth ; solid phase epitaxy
2022Epitaxial regrowth of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. lateral epitaxy by seeded solidification, solid-state crystallization, solid-state graphoepitaxy, explosive crystallization, grain growth in polycrystalline materials
2026using a coherent energy beam, e.g. laser or electron beam
Déposants
  • パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
  • パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 PANASONIC LIQUID CRYSTAL DISPLAY CO., LTD. [JP/JP]; 兵庫県姫路市飾磨区妻鹿日田町1-6 1-6, Megahida-cho, Shikama-ku, Himeji-shi, Hyogo 6728033, JP (AllExceptUS)
  • 齋藤 徹 SAITO, Toru; null (UsOnly)
  • 吉岡 洋 YOSHIOKA, Hiroshi; null (UsOnly)
  • 堀田 定吉 HOTTA, Sadayoshi; null (UsOnly)
Inventeurs
  • 齋藤 徹 SAITO, Toru; null
  • 吉岡 洋 YOSHIOKA, Hiroshi; null
  • 堀田 定吉 HOTTA, Sadayoshi; null
Mandataires
  • 新居 広守 NII, Hiromori; 大阪府大阪市淀川区西中島5丁目3番10号タナカ・イトーピア新大阪ビル6階新居国際特許事務所内 c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011, JP
Données relatives à la priorité
2010-16207516.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING CRYSTALLINE SEMICONDUCTOR FILM AND APPARATUS FOR MANUFACTURING CRYSTALLINE SEMICONDUCTOR FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN FILM SEMI-CONDUCTEUR CRISTALLIN ET APPAREIL DE FABRICATION D'UN FILM SEMI-CONDUCTEUR CRISTALLIN
(JA) 結晶性半導体膜の製造方法及び結晶性半導体膜の製造装置
Abrégé
(EN)
The present invention includes: a first step wherein a metal layer is formed above a substrate; a second step wherein a gate electrode is formed in each pixel of a plurality of pixels (20) by patterning the metal layer; a third step wherein a gate insulating film is formed on the gate electrode; a fourth step wherein an amorphous semiconductor film is formed on the gate insulating film; and a fifth step wherein the amorphous semiconductor film is crystallized by radiating a laser beam. The laser radiation width of the laser beam corresponds to n (n is an integer of 2 or more) times the width of the pixel (20), the laser energy intensity at one end of the laser radiation width of the laser beam is higher than the laser energy intensity at the other end, and in the fifth step, the laser energy intensities of the laser beam is configured in such a manner that the laser energy intensities at one end and the other end of the laser radiation width of the laser beam invert every n pixels.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un film semi-conducteur cristallin et un appareil de fabrication d'un film semi-conducteur cristallin, lequel procédé comprend les étapes suivantes: une première étape dans laquelle une couche métallique est formée sur un substrat ; une deuxième étape dans laquelle une électrode de grille est formée dans chaque pixel d'une pluralité de pixels (20) en gravant la couche métallique ; une troisième étape dans laquelle un film d'isolation de grille est formé sur l'électrode de grille ; une quatrième étape dans laquelle un film semi-conducteur amorphe est formé sur le film d'isolation de grille ; et une cinquième étape dans laquelle le film semi-conducteur amorphe est cristallisé par le rayonnement d'un faisceau laser. La largeur de rayonnement du faisceau laser correspond à n fois (n étant un nombre entier égal ou supérieur à 2) la largeur du pixel (20) ; l'intensité de l'énergie laser à une extrémité de la largeur de rayonnement du faisceau laser est supérieure à l'intensité de l'énergie laser à l'autre extrémité ; et, dans la cinquième étape, les intensités de l'énergie du faisceau laser sont configurées de manière à ce que les intensités de l'énergie laser à l'une et à l'autre des extrémités de la largeur de rayonnement du faisceau laser soient inversées tous les n pixels.
(JA)
 基板の上方に金属層を形成する第1工程と、金属層をパターニングして複数の画素(20)の各画素内にゲート電極を形成する第2工程と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する第3工程と、ゲート絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成する第4工程と、レーザ光を照射して非晶質半導体膜を結晶化する第5工程と、を含み、レーザ光のレーザ照射幅は、画素(20)の幅のn倍(nは2以上の整数)に対応し、レーザ光のレーザ照射幅の一方の端部におけるレーザエネルギーの強度は他方の端部におけるレーザエネルギーの強度より高く、第5工程において、レーザ光のレーザエネルギーの強度は、n画素ごとに、レーザ光のレーザ照射幅の一方の端部と他方の端部とが反転するように構成される。
Également publié en tant que
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