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Paramétrages

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1. WO2012008087 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM ET SUBSTRAT DE SILICIUM

Numéro de publication WO/2012/008087
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/003188
Date du dépôt international 07.06.2011
CIB
H01L 21/324 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
324Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
CPC
C30B 15/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
C30B 33/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
33After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
02Heat treatment
H01L 21/26
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
26Bombardment with radiation
H01L 21/3225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
322to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
3221of silicon bodies, e.g. for gettering
3225Thermally inducing defects using oxygen present in the silicon body for intrinsic gettering
H01L 29/0684
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
0684characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
Déposants
  • 信越半導体株式会社 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目6番2号 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP (AllExceptUS)
  • 岡 鉄也 OKA, Tetsuya [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 江原 幸治 EBARA, Koji [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 高橋 修治 TAKAHASHI, Shuji [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 岡 鉄也 OKA, Tetsuya; JP
  • 江原 幸治 EBARA, Koji; JP
  • 高橋 修治 TAKAHASHI, Shuji; JP
Mandataires
  • 好宮 幹夫 YOSHIMIYA, Mikio; 東京都台東区上野7丁目6番11号第一下谷ビル8F 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005, JP
Données relatives à la priorité
2010-15955014.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF MANUFACTURING SILICON SUBSTRATE, AND SILICON SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM ET SUBSTRAT DE SILICIUM
(JA) シリコン基板の製造方法及びシリコン基板
Abrégé
(EN)
The present invention is a method of manufacturing a silicon substrate, which is provided with: a first heat treatment process for implementing a quick heat treatment onto a silicon substrate, by using a quick-heating and quick-cooling apparatus, and maintaining the silicon substrate in a first temperature that is higher than 1,300°C and not higher than the melting point of silicon, and in a first atmosphere comprising nitride-film forming atmosphere gas, noble gas, and/or oxidized gas, for 1-60 seconds; and a second heat treatment process, after the first heat treatment process, for controlling the temperature and atmosphere to be a second temperature and a second atmosphere, wherein generation of defects due to vacancies inside the silicon substrate is inhibited, and implementing a quick heat treatment to the silicon substrate in the controlled second temperature and second atmosphere. Provided thereby is a method of manufacturing a silicon substrate, and a silicon substrate manufactured with the method, wherein defects (RIE defects) to be detected by the RIE method, such as oxygen precipitates, COP, or OSF, do not exist down to a depth of at least 1 μm from the surface, which is to be the range wherein devices are to be made, and wherein the lifetime will be 500 μsec or more.
(FR)
La présente invention a trait à un procédé de fabrication d'un substrat de silicium, lequel procédé comprend : un premier processus de traitement thermique permettant de mettre en œuvre un traitement thermique rapide sur un substrat de silicium, en utilisant un appareil de chauffage rapide et de refroidissement rapide, et de maintenir le substrat de silicium à une première température qui est supérieure à 1 300 °C et inférieure au point de fusion du silicium, et dans une première atmosphère comprenant un gaz d'atmosphère de formation de film de nitrure, un gaz noble et/ou un gaz oxydé, pendant 1 à 60 secondes ; et un second processus de traitement thermique, après le premier processus de traitement thermique, permettant de contrôler la température et l'atmosphère de manière à obtenir une seconde température et une seconde atmosphère, permettant d'empêcher toute génération de défauts due aux vides à l'intérieur du substrat de silicium, et permettant de mettre en œuvre un traitement thermique rapide sur le substrat de silicium à la seconde température et à la seconde atmosphère contrôlées. Par conséquent, la présente invention a trait à un procédé de fabrication d'un substrat de silicium et à un substrat de silicium fabriqué au moyen dudit procédé, permettant aux défauts (défauts de gravure par ions réactifs) pouvant être détectés grâce au procédé de gravure par ions réactifs, tels que les précipités d'oxygène, le cuivre ou OSF, de ne pas exister en deçà d'une profondeur d'au moins 1 μm à partir de la surface, ce qui doit être la plage où les dispositifs doivent être réalisés et dont la durée de vie sera de 500 μsec ou plus.
(JA)
 本発明は、シリコン基板に、急速加熱・急速冷却装置を用いて、窒化膜形成雰囲気ガス、希ガス及び酸化性ガスのうちの少なくとも一種類のガスを含む第1の雰囲気で、1300℃より高くかつシリコン融点以下の第1の温度で1-60秒保持して急速熱処理を施す第1熱処理工程と、該第1熱処理工程に続いて、前記シリコン基板内部の空孔起因の欠陥の発生を抑制する第2の温度及び第2の雰囲気に制御し、前記シリコン基板に前記制御した第2の温度及び第2の雰囲気で急速熱処理を施す第2熱処理工程とを具備するシリコン基板の製造方法である。これによって、デバイス作製領域となる表面から少なくとも1μmの深さに、酸素析出物、COP、OSF等のRIE法により検出される欠陥(RIE欠陥)が存在せず、かつ、ライフタイムが500μsec以上のシリコン基板の製造方法及び当該方法により製造されたシリコン基板が提供される。
Également publié en tant que
DE112011101914
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