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Paramétrages

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1. WO2012007165 - PROCÉDÉ ET DISPOSITIF POUR LE TRAITEMENT AU PLASMA DE SUBSTRATS PLATS

Numéro de publication WO/2012/007165
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/EP2011/003516
Date du dépôt international 14.07.2011
CIB
C23C 16/46 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
46caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
H01J 37/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
CPC
C23C 16/46
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
46characterised by the method used for heating the substrate
H01J 37/32091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
32091the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
H01J 37/32724
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32715Workpiece holder
32724Temperature
Déposants
  • LEYBOLD OPTICS GMBH [DE/DE]; Siemensstr. 88 63755 Alzenau, DE (AllExceptUS)
  • GEISLER, Michael [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • GRABOSCH, Günter [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • ZEUNER, Arndt [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • MERZ, Thomas [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • BECKMANN, Rudolf [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • GEISLER, Michael; DE
  • GRABOSCH, Günter; DE
  • ZEUNER, Arndt; DE
  • MERZ, Thomas; DE
  • BECKMANN, Rudolf; DE
Mandataires
  • POHLMANN, Bernd, Michael; Reinhardt & Pohlmann Partnerschaft Rossmarkt 12 60311 Frankfurt am Main, DE
Données relatives à la priorité
10 2010 027 168.314.07.2010DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR PLASMABEHANDLUNG FLACHER SUBSTRATE
(EN) METHOD AND DEVICE FOR THE PLASMA TREATMENT OF FLAT SUBSTRATES
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF POUR LE TRAITEMENT AU PLASMA DE SUBSTRATS PLATS
Abrégé
(DE)
Das Verfahren zur Plasmabehandlung eines flachen Substrats, wobei das Substrat zwischen einer Elektrode einer planen Aufladefläche, die einer Gegenelektrode zugeordnet ist, angeordnet wird und dabei mit seiner Vorderseite der Elektrode und mit seiner Rückseite der Auflagefläche zugewandt ist, zeichnet sich aus durch - Haltern des Substrats an der Auflagefläche - thermisches Erzeugen einer mechanischen Vorspannung im Substrat, die einer aus Richtung der Elektrode gesehen konkaven Wölbung des Substrats mit von der Auflagefläche beabstandeten Randseiten des Substrats entspricht mittels Temperierung von Vorderseite und/ oder Rückseite des Substrats - Beaufschlagen der Randseiten mit lokalen Kräften zum Erreichen eines flachen Anliegen der Rückseitenfläche des Substrats an der Auflagefläche mittels zumindest eines Niederhalters - Anregung der Plasmaentladung mittels einer HF-Spannung. Die Erfindung betrifft außerdem eine Vorrichtung zur Plasmabehandlung eines flachen Substrats, wobei das Substrat zwischen einer Elektrode einer planen Aufladefläche, die einer Gegenelektrode zugeordnet ist, angeordnet werden kann und dabei mit seiner Vorderseite der Elektrode und mit seiner Rückseite der Auflagefläche zugewandt ist, welche sich auszeichnet durch - Mitteln zum Haltern des Substrats an der Auflagefläche - einer Einrichtung zum thermischen Erzeugen einer mechanischen Vorspannung im Substrat, die einer aus Richtung der Elektrode gesehen konkaven Wölbung des Substrats mit von der Auflagefläche beabstandeten Randseiten des Substrats entspricht mittels Temperierung von Vorderseite und/ oder Rückseite des Substrats - Mitteln zum Beaufschlagen der Randseiten mit lokalen Kräften zum Erreichen eines flachen Anliegen der Rückseitenfläche des Substrats an der Auflagefläche mittels zumindest eines Niederhalters Mitteln zur Anregung der Plasmaentladung mittels einer HF-Spannung.
(EN)
The method for the plasma treatment of a flat substrate, wherein the substrate is arranged between an electrode and a planar supporting surface which is assigned to a counterelectrode, and thereby has its front side facing the electrode and its rear side facing the supporting surface, is distinguished by - securing the substrate on the supporting surface - thermally producing a mechanical prestress in the substrate that corresponds to a concave curving of the substrate, seen from the direction of the electrode, with peripheral sides of the substrate at a distance from the supporting surface, by means of controlling the temperature of the front side and/or the rear side of the substrate - applying local forces to the peripheral sides to achieve flat contact of the rear side face of the substrate against the supporting surface by means of at least one hold-down device and - exciting the plasma discharge by means of an RF voltage. The invention also relates to a device for the plasma treatment of a flat substrate, wherein the substrate can be arranged between an electrode and a planar supporting surface which is assigned to a counterelectrode, and thereby has its front side facing the electrode and its rear side facing the supporting surface, which is distinguished by - means for securing the substrate on the supporting surface - a device for thermally producing in the substrate a mechanical prestress that corresponds to a concave curving of the substrate, seen from the direction of the electrode, with peripheral sides of the substrate at a distance from the supporting surface, by means of controlling the temperature of the front side and/or the rear side of the substrate - means for applying local forces to the peripheral sides to achieve flat contact of the rear side face of the substrate against the supporting surface by means of at least one hold-down device and - means for exciting the plasma discharge by means of an RF voltage.
(FR)
L'invention concerne un procédé pour le traitement au plasma d'un substrat plat, le substrat étant disposé entre une électrode et une surface support plane à laquelle est associée une contre-électrode, et ainsi orienté avec sa face avant vers l'électrode et avec sa face arrière vers la surface support. Le procédé est caractérisé par - la fixation du substrat sur la surface support, - la génération thermique d'une précontrainte mécanique dans le substrat qui, vu dans le sens de l'électrode, correspond à une courbure concave du substrat, dont les bords sont éloignés de la surface support, par traitement thermique de la face avant et/ou de la face arrière du substrat, - la sollicitation des bords par des forces locales pour obtenir un placement à plat de la face arrière du substrat sur la surface support au moyen d'au moins un abaisseur, - l'excitation de la décharge du plasma au moyen d'une tension HF. L'invention concerne en outre un dispositif pour le traitement au plasma d'un substrat plat, le substrat pouvant être disposé entre une électrode et une surface support plane à laquelle est associée une contre-électrode, et qui est ainsi orienté avec sa face avant vers l'électrode et avec sa face arrière vers la surface support. Le dispositif est caractérisé par - des moyens pour la fixation du substrat sur la surface support, - un dispositif pour la génération thermique d'une précontrainte mécanique dans le substrat qui, vu dans le sens de l'électrode, correspond à une courbure concave du substrat, dont les bords sont éloignés de la surface support, par traitement thermique de la face avant et/ou de la face arrière du substrat, - des moyens pour la sollicitation des bords par des forces locales pour obtenir un placement à plat de la face arrière du substrat sur la surface support au moyen d'au moins un abaisseur, - des moyens pour l'excitation de la décharge du plasma au moyen d'une tension HF.
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