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Paramétrages

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1. WO2012006991 - COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ POUR LE PRODUIRE

Numéro de publication WO/2012/006991
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/DE2011/001173
Date du dépôt international 30.05.2011
CIB
H01L 23/367 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
367Refroidissement facilité par la forme du dispositif
H01L 23/492 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488formées de structures soudées
492Embases ou plaques
H01L 21/48 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
48Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326218
CPC
H01L 21/4871
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
4814Conductive parts
4871Bases, plates or heatsinks
H01L 2224/0401
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
0401Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
H01L 2224/05624
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
05of an individual bonding area
0554External layer
05599Material
056with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
05617the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
05624Aluminium [Al] as principal constituent
H01L 2224/0603
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
06of a plurality of bonding areas
0601Structure
0603Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
H01L 2224/06181
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
06of a plurality of bonding areas
061Disposition
0618being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
06181On opposite sides of the body
H01L 2224/17107
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
17of a plurality of bump connectors
171Disposition
17104relative to the bonding areas, e.g. bond pads
17106the bump connectors being bonded to at least one common bonding area
17107the bump connectors connecting two common bonding areas
Déposants
  • RWTH AACHEN [DE/DE]; Templergraben 55 52056 Aachen, DE (AllExceptUS)
  • BRAGARD, Michael [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • DE DONCKER, Rik [BE/BE]; BE (UsOnly)
  • MURA, Florian [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • DICK, Christian [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • BRAGARD, Michael; DE
  • DE DONCKER, Rik; BE
  • MURA, Florian; DE
  • DICK, Christian; DE
Mandataires
  • FIEDLER, OSTERMANN & SCHNEIDER [DE/DE]; Klausheider Strasse 31 33106 Paderborn, DE
Données relatives à la priorité
10 2010 029 650.302.06.2010DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN
(EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ POUR LE PRODUIRE
Abrégé
(DE)
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit wenigstens einem Halbleiterchip (2), mit an zwei Flachseiten (3, 4) des Halbleiterchips angeordneten, die Flachseiten des Halbleiterchips zumindest abschnittsweise überdeckenden Kontaktierungsschichten (5, 6) und mit wenigstens einem einer ersten Flachseite des Halbleiterchips beabstandet zugeordneten Metallkörper (7, 8), welcher über von der ersten Flachseite zugeordneten Kontaktierungsschicht abragende, fingerartige Verbindungsstege (9) thermisch und elektrisch leitend mit dem Halbleiterchip verbunden ist, wobei die fingerartigen Verbindungsstege beabstandet zueinander angeordnet sind und dass die fingerartigen Verbindungsstege monolithisch mit der Kontaktierungsschicht verbunden sind.
(EN)
The invention relates to a semiconductor element having at least one semiconductor chip (2), two contacting layers (5, 6) which are arranged on two faces (3, 4) of the semiconductor and cover at least sections of the faces of the semiconductor chip, and further having a metal body (7, 8) which is associated with a first face of the semiconductor chip at a distance, said metal body being connected to the semiconductor chip in a thermally and electrically conducting manner via finger-type connecting webs (9) that project from the contacting layer associated with the first face. The finger-type connecting webs are interspaced from each other and the finger-type connecting webs are monolithically connected to the contacting layer.
(FR)
L'invention concerne un composant à semi-conducteurs comportant au moins une puce à semi-conducteurs, deux couches de contact disposées sur deux côtés plats de la puce à semi-conducteurs et recouvrant au moins en partie les côtés plats de la puce à semi-conducteurs et au moins un corps métallique associé à un premier côté plat de la puce à semi-conducteurs, à distance, ledit corps métallique étant relié, de manière thermiquement et électriquement conductrice, à la puce à semi-conducteurs, par des éléments de liaison en forme de doigts qui font saillie au-dessus de la couche de contact associée au premier côté plat. Lesdits éléments de liaison en forme de doigts sont espacés les uns des autres et sont reliés de manière monolithique à la couche de contact.
Également publié en tant que
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