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Paramétrages

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1. WO2012006881 - STRUCTURE D'UN DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2012/006881
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/CN2011/071354
Date du dépôt international 27.02.2011
CIB
H01L 21/8234 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
H01L 21/28 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
H01L 27/088 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
08comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
085comprenant uniquement des composants à effet de champ
088les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
CPC
H01L 21/823437
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
823437with a particular manufacturing method of the gate conductors, e.g. particular materials, shapes
H01L 21/823475
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
823475interconnection or wiring or contact manufacturing related aspects
H01L 27/0207
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
0203Particular design considerations for integrated circuits
0207Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
H01L 27/092
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
08including only semiconductor components of a single kind
085including field-effect components only
088the components being field-effect transistors with insulated gate
092complementary MIS field-effect transistors
H01L 29/665
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66477with an insulated gate, i.e. MISFET
665using self aligned silicidation, i.e. salicide
H01L 29/66545
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66477with an insulated gate, i.e. MISFET
66545using a dummy, i.e. replacement gate in a process wherein at least a part of the final gate is self aligned to the dummy gate
Déposants
  • 中国科学院微电子研究所 INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; 中国北京市朝阳区北土城西路3# No.3 Beitucheng West Road Chaoyang District Beijing 100029, CN (AllExceptUS)
  • 钟汇才 ZHONG, Huicai [CN/US]; US (UsOnly)
  • 梁擎擎 LIANG, Qingqing [CN/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • 钟汇才 ZHONG, Huicai; US
  • 梁擎擎 LIANG, Qingqing; US
Mandataires
  • 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) HANHOW INTELLECTUAL PROPERTY PARTNERS; 中国北京市东长安街1号东方广场西1区11层1111室朱海波 ZHU, Haibo W1-1111, F/11, Oriental plaza, No.1 East Chang An Avenue Dongcheng District, Beijing 100738, CN
Données relatives à la priorité
201010230771.113.07.2010CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) STRUCTURE D'UN DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 半导体器件结构及其制造方法
Abrégé
(EN)
A manufacturing method of a semiconductor device is provided. The method includes: providing a semiconductor substrate (1000); forming gate electrode lines (1004) on the semiconductor substrate (1000); forming sidewalls (1005) at both sides of the gate electrode lines (1004); forming source/drain regions on the semiconductor substrate (1000) at both sides of the gate electrode lines (1004); forming contact holes (1012, 1014) on the gate electrode lines (1004) or the source/drain regions; wherein the step of cutting the gate electrode lines (1004) is carried out to form isolated gates (1009), after the step of forming the sidewalls (1005), before the completion of the process of forming the contact holes (1012, 1014). The semiconductor device produced by the method is also provided.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur. Le procédé comprend les étapes suivantes : se procurer un substrat semiconducteur (1000) ; former des lignes d'électrode de grille (1004) sur le substrat semiconducteur (1000) ; former des parois latérales (1005) des deux côtés des lignes d'électrode de grille (1004) ; former des régions de source/drain sur le substrat semiconducteur (1000) des deux côtés des lignes d'électrode de grille (1004) ; former des trous de contact (1012, 1014) sur les lignes d'électrode de grille (1004) ou les régions de source/drain. L'étape de découpe des lignes d'électrode de grille (1004) est réalisée pour former des grilles isolées (1009) après l'étape de formation des parois latérales (1005) et avant l'achèvement du processus de formation des trous de contact (1012, 1014). L'invention concerne en outre le dispositif semiconducteur produit par le procédé.
(ZH)
提供了一种半导体器件的制造方法,该方法包括:提供半导体衬底(1000);在半导体衬底(1000)上形成栅电极线(1004);在栅电极线(1004)两侧形成侧墙(1005);在栅电极线(1004)两侧的半导体衬底(1000)上形成源/漏区;在所述栅电极线(1004)或源/漏区上形成接触孔(1012,1014);其中,在所述侧墙(1005)形成后至形成接触孔(1014,1014)的工艺完成之前,执行所述栅电极线(1004)的切割步骤以形成电隔离的栅电极(1009)。还提供了一种由该方法形成的半导体器件。
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