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1. WO2012006869 - MÉMOIRE RÉSISTIVE À HAUTE CONSISTANCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2012/006869
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/CN2011/001162
Date du dépôt international 14.07.2011
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 13.01.2012
CIB
H01L 45/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 27/24 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
24comprenant des composants à l'état solide pour le redressement, l'amplification ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface
H01L 27/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
H01L 21/82 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
CPC
H01L 27/101
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
101including resistors or capacitors only
H01L 45/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
H01L 45/1233
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
12Details
122Device geometry
1233adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
H01L 45/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
14Selection of switching materials
145Oxides or nitrides
146Binary metal oxides, e.g. TaOx
H01L 45/16
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
16Manufacturing
H01L 45/1633
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
16Manufacturing
1608Formation of the switching material, e.g. layer deposition
1633by conversion of electrode material, e.g. oxidation
Déposants
  • 复旦大学 FUDAN UNIVERSITY [CN/CN]; 中国上海市邯郸路220号 No.220 Handan Road Shanghai 200433, CN (AllExceptUS)
  • 林殷茵 LIN, Yinyin [CN/CN]; CN (UsOnly)
  • 杨玲明 YANG, Lingming [CN/CN]; CN (UsOnly)
Inventeurs
  • 林殷茵 LIN, Yinyin; CN
  • 杨玲明 YANG, Lingming; CN
Mandataires
  • 中国专利代理(香港)有限公司 CHINA PATENT AGENT (H.K.) LTD.; 中国香港特别行政区湾仔港湾道23号鹰君中心22号楼 22/F, Great Eagle Centre 23 Harbour Road, Wanchai Hong Kong, CN
Données relatives à la priorité
201010228039.016.07.2010CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) HIGH CONSISTENCY RESISTIVE MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) MÉMOIRE RÉSISTIVE À HAUTE CONSISTANCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 电阻型存储器及其制备方法
Abrégé
(EN)
Provided are a resistive memory and a manufacturing method thereof. The resistive memory comprises: a lower electrode formed in a pattern within a first medium layer (10); a second medium layer (12) formed on the lower electrode and the first medium layer (10); a side wall (40) formed at an opening (121) in the second medium layer (12), for use in covering the border region of the lower electrode and the first medium layer (10), making only a medial region of the lower electrode partially or completely exposed; a memory medium layer (30) formed by oxidation, using the second medium layer (12) and the side wall (40) acting as a mask; and an upper electrode. The resistive memory is highly consistent, highly reliable, and small in unit size, thereby enabling an increase in memory characteristics.
(FR)
La présente invention concerne une mémoire résistive et son procédé de fabrication. La mémoire résistive comprend : une électrode inférieure formée en motif dans une première couche de support (10); une seconde couche de support (12) formée sur l'électrode inférieure et la première couche de support (10); une paroi latérale (40) formée au niveau d'une ouverture (121) de la seconde couche de support (12), destinée à être utilisée dans la couverture d'une région avoisinante de l'électrode inférieure et la première couche de support (10), ainsi seule une région médiale de l'électrode inférieure est partiellement ou complètement exposée; une couche de support de mémoire formée à l'aide de la seconde couche de support (12) et de la paroi latérale (40) comme masque d'oxydation; et une électrode supérieure. La mémoire résistive est à haute consistance, extrêmement fiable et de petite taille unitaire, permettant ainsi une augmentation des caractéristiques de mémoire.
(ZH)
提供了一种电阻型存储器及其制备方法。该电阻型存储器包括:下电极,其被构图地形成于第一介质层(10)中;第二介质层(12),形成于下电极和第一介质层上;形成于第二介质层的开口(121)中的边墙(40),用于覆盖下电极与第一介质层的交界区域以仅使下电极的中部区域被部分地或全部地暴露;以第二介质层和边墙为掩膜氧化形成的存储介质层(30);以及上电极(50)。该电阻型存储器的一致性好、可靠性高,并且单元尺寸小、有利于提高存储特性。
Également publié en tant que
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