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Paramétrages

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1. WO2012006859 - STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE SI-GE-SI À DEUX JONCTIONS GRADUELLES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2012/006859
Date de publication 19.01.2012
N° de la demande internationale PCT/CN2010/080641
Date du dépôt international 31.12.2010
CIB
H01L 29/24 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
12caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
24comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20 ou H01L29/22268
H01L 29/78 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
CPC
H01L 21/0237
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
H01L 21/02381
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02381Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/0245
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02441Group 14 semiconducting materials
0245Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02488
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02488Insulating materials
H01L 21/02502
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02494Structure
02496Layer structure
02502consisting of two layers
H01L 21/0251
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02494Structure
02496Layer structure
0251Graded layers
Déposants
  • 清华大学 TSINGHUA UNIVERSITY [CN/CN]; 中国北京市海淀区清华园 Qinghuayuan Haidian District Beijing 100084, CN (AllExceptUS)
  • 王敬 WANG, Jing [CN/CN]; CN (UsOnly)
  • 许军 XU, Jun [CN/CN]; CN (UsOnly)
  • 郭磊 GUO, Lei [CN/CN]; CN (UsOnly)
Inventeurs
  • 王敬 WANG, Jing; CN
  • 许军 XU, Jun; CN
  • 郭磊 GUO, Lei; CN
Mandataires
  • 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) TSINGYIHUA INTELLECTUAL PROPERTY LLC; 中国北京市海淀区清华园清华大学照澜院商业楼301室 Room 301 Trade Building, Zhaolanyuan, Tsinghua University Haidian, Beijing 100084, CN
Données relatives à la priorité
201010230174.913.07.2010CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) Si-Ge-Si SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH TWO GRADED JUNCTIONS AND FABRICATION METHOD THEREOF
(FR) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE SI-GE-SI À DEUX JONCTIONS GRADUELLES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 具有双缓变结的Si-Ge-Si半导体结构及其形成方法
Abrégé
(EN)
A Si-Ge-Si semiconductor structure with two graded junctions is provided, which comprises: a substrate; a transition layer or an insulation layer formed on the substrate; a strain SiGe layer formed on the transition layer or the insulation layer. Wherein, the Ge concentration at the center of the strain SiGe layer is the highest, and the Ge concentration at the upper surface and lower surface of the SiGe layer is the lowest, and the Ge concentration shows a gradient distribution from the center to the upper surface and lower surface. The semiconductor structure uses the graded junction to replace the abrupt junction, thus a triangle potential well for hole is formed, and a majority of hole carrier is distributed in high Ge concentration part of the strain SiGe layer, and device performance is further improved.si-ge-si semiconductor structure with two graded junctions and fabrication method thereofsi-ge-si semiconductor structure with two graded junctions and fabrication method thereof
(FR)
Cette invention concerne une structure semi-conductrice Si-Ge-Si à deux jonctions graduelles, comprenant : un substrat; une couche de transition ou une couche isolante formée sur le substrat; et une couche contrainte à base de SiGe formée sur la couche de transition ou la couche isolante. Le centre de la couche contrainte à base de SiGe présente la concentration la plus haute en Ge, tandis que la surface supérieure et la surface inférieure de la couche à base de SiGe présentent la concentration la plus basse en Ge. La concentration en Ge présente une distribution graduée en allant du centre vers la surface supérieure et vers la surface inférieure. La structure semi-conductrice de l'invention utilise la jonction graduelle pour remplacer la jonction abrupte ce qui assure la formation d'un puits de potentiel triangulaire pour les trous. De plus, une majorité de porteurs de trous est distribuée dans la partie à haute concentration en Ge de la couche contrainte à base de SiGe et la performance du dispositif s'en trouve améliorée.
(ZH)
提供一种具有双緩变结的Si-Ge-Si半导体结构,包括:衬底;形成在衬底之上的过渡层或绝缘层;形成在过渡层或绝缘层之上的应变SiGe层,其中,所述应变SiGe层中心部分的Ge组分最高,上下两个表面处的Ge组分最低,且中心部分至上下两个表面的Ge组分呈渐变分布。该半导体结构使用渐变结来代替突变结,从而形成三角形的空穴势阱,这样能够使空穴载流子大部分分布于应变SiGe层中的高Ge组分部分,进一步改善器件性能。
Également publié en tant que
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