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Paramétrages

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1. WO2012006546 - CIRCUITS, DISPOSITIFS ET CAPTEURS POUR LA DÉTECTION D'UN FLUIDE

Numéro de publication WO/2012/006546
Date de publication 12.01.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/043393
Date du dépôt international 08.07.2011
CIB
G01N 27/414 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
26en recherchant des variables électrochimiques; en utilisant l'électrolyse ou l'électrophorèse
403Ensembles de cellules et d'électrodes
414Transistors à effet de champ sensibles aux ions ou chimiques, c. à d. ISFETS ou CHEMFETS
H01L 29/78 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
CPC
G01N 27/4148
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electro-chemical, or magnetic means
26by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
403Cells and electrode assemblies
414Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
4148Integrated circuits therefor, e.g. fabricated by CMOS processing
H01L 27/088
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
08including only semiconductor components of a single kind
085including field-effect components only
088the components being field-effect transistors with insulated gate
H01L 27/283
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
283comprising components of the field-effect type
H01L 51/0036
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0034Organic polymers or oligomers
0035comprising aromatic, heteroaromatic, or arrylic chains, e.g. polyaniline
0036Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
H01L 51/0043
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0034Organic polymers or oligomers
0043Copolymers
H01L 51/0053
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
005Macromolecular systems with low molecular weight, e.g. cyanine dyes, coumarine dyes, tetrathiafulvalene
0052Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
0053Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride, perylene tetracarboxylic diimide
Déposants
  • THE JOHNS HOPKINS UNIVERSITY [US/US]; 3400 North Charles Street Balltimore, Maryland 21218, US (AllExceptUS)
  • KATZ, Howard Edan [US/US]; US (UsOnly)
  • BREYSSE, Patrick, N. [US/US]; US (UsOnly)
  • DHAR, Bal Mukund [IN/US]; US (UsOnly)
  • TREMBLAY, Noah Jonathan [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • KATZ, Howard Edan; US
  • BREYSSE, Patrick, N.; US
  • DHAR, Bal Mukund; US
  • TREMBLAY, Noah Jonathan; US
Mandataires
  • DALEY, Henry, J.; Venable LLP P.O. Box 34385 Washington, District of Columbia 20043-9998, US
Données relatives à la priorité
61/362,47408.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) CIRCUITS, DEVICES AND SENSORS FOR FLUID DETECTION
(FR) CIRCUITS, DISPOSITIFS ET CAPTEURS POUR LA DÉTECTION D'UN FLUIDE
Abrégé
(EN)
An electronic device includes a first field effect transistor that includes a first gate electrode, a first drain electrode, and a first source electrode; a second field effect transistor that includes a second gate electrode, a second drain electrode, and a second source electrode, the first and second gate electrodes being at least one of electrically connected or integral, and the first and second source electrodes being at least one of electrically connected or integral; an input electrode electrically connected to the first and second gate electrodes; and an output electrode electrically connected to the first and second source electrodes. The first field effect transistor also includes a first semiconductor material. The second field effect transistor further also incudes a second semiconductor material. At least one of the first semiconductor material and second semiconductor material has a surface that can be exposed to a fluid and changes an electrical property thereof while being exposed to the fluid.
(FR)
L'invention concerne un dispositif électronique comprenant un premier transistor à effet de champ qui comprend une première électrode de grille, une première électrode de drain et une première électrode de source; un second transistor à effet de champ qui comprend une seconde électrode de grille, une seconde électrode de drain et une seconde électrode de source, les première et seconde électrodes de grille étant au moins soit connectées électriquement, soit faites d'un seul tenant, et les première et seconde électrodes de source étant au moins soit connectées électriquement, soit faites d'un seul tenant; une électrode d'entrée connectée électriquement aux première et seconde électrodes de grille; et une électrode de sortie connectée électriquement aux première et seconde électrodes de source. Le premier transistor à effet de champ comprend également un premier matériau semi-conducteur. Le second transistor à effet de champ comprend en outre également un second matériau semi-conducteur. Au moins un matériau, parmi le premier matériau semi-conducteur et le second matériau semi-conducteur, a une surface qui peut être exposée à un fluide et dont une propriété électrique varie lorsqu'il est exposé au fluide.
Également publié en tant que
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