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1. WO2012005936 - APPAREIL ET PROCÉDÉ POUR LA PROTECTION D'UN CIRCUIT ÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2012/005936
Date de publication 12.01.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/041203
Date du dépôt international 21.06.2011
CIB
H01L 27/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
CPC
H01L 27/0259
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
0203Particular design considerations for integrated circuits
0248for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
0251for MOS devices
0259using bipolar transistors as protective elements
Déposants
  • ANALOG DEVICES, INC [US/US]; One Technology Way Norwood, MA 02062, US (AllExceptUS)
Inventeurs
  • SALCEDO, Javier, A.; US
Mandataires
  • ALTMAN, Daniel, E.; Knobbe, Martens, Olson & Bear, LLP 2040 Main Street, 14th Floor Irvine, CA 92614, US
Données relatives à la priorité
12/832,82008.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) APPARATUS AND METHOD FOR ELECTRONIC CIRCUIT PROTECTION
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ POUR LA PROTECTION D'UN CIRCUIT ÉLECTRONIQUE
Abrégé
(EN)
Apparatus and methods for electronic circuit protection are disclosed. In one embodiment, an apparatus (1) comprises an internal circuit (3) electrically connected between a first node and a second node, and a protection circuit (15a) electrically connected between the first node and the second node and configured to protect the internal circuit from transient electrical events. The protection circuit comprises a bipolar transistor (22) having an emitter connected to the first node, a base connected to a third node, and a collector connected to a fourth node. The protection circuit further comprises a first diode (27) electrically connected between the third node and the fourth node, and a second diode (28) electrically connected between the second node and the fourth node. The first diode is an avalanche breakdown diode having an avalanche breakdown voltage lower than or about equal to a breakdown voltage associated with the base and the collector of the bipolar transistor.
(FR)
L'invention concerne un appareil et des procédés pour la protection d'un circuit électronique. Dans un mode de réalisation, un appareil (1) comprend un circuit interne (3) connecté électrique entre un premier nœud et un second nœud, et un circuit de protection (15a) électriquement connecté entre le premier nœud et le second nœud et configuré pour protéger le circuit interne des événements électriques transitoires. Le circuit de protection comprend un transistor bipolaire (22) comportant un émetteur connecté au premier nœud, une base connectée à un troisième nœud, et un collecteur connecté à un quatrième nœud. Le circuit de protection comprend en outre une première diode (27) électriquement connectée entre le troisième nœud et le quatrième nœud, et une seconde diode (28) électriquement connectée entre le deuxième nœud et le quatrième nœud. La première diode et une diode de rupture en avalanche dont la tension de rupture en avalanche est inférieure ou environ égale à une tension de coupure associée à la base et au collecteur du transistor bipolaire.
Également publié en tant que
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