Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2012005836 - PASSAGE COMPORTANT UNE SURFACE SUPÉRIEURE SENSIBLEMENT PLANE

Numéro de publication WO/2012/005836
Date de publication 12.01.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/038563
Date du dépôt international 31.05.2011
CIB
H01L 21/28 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
CPC
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
H01L 21/76847
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
76841Barrier, adhesion or liner layers
76843formed in openings in a dielectric
76847the layer being positioned within the main fill metal
H01L 21/76877
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
76877Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
Déposants
  • NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 2900 Semiconductor Drive M/S D3-579 Santa Clara, CA 95051-8090, US (AllExceptUS)
Inventeurs
  • AKLIK, Mehmet, Emin; US
  • MOUTINHO, Thomas, James; US
Mandataires
  • PICKERING, Mark; P.O. Box 151440 San Rafael, CA 94915-1440, US
Données relatives à la priorité
12/832,51608.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) VIA WITH A SUBSTANTIALLY PLANAR TOP SURFACE
(FR) PASSAGE COMPORTANT UNE SURFACE SUPÉRIEURE SENSIBLEMENT PLANE
Abrégé
(EN)
A via (314), which touches a non-conductive structure (114) and an underlying conductive structure (110), has a top surface where the entire top surface of the via (314) is substantially planar. The substantially planar entire top surface of the via (314) improves structures that are effected by the planarity of the top surface of the via (314).
(FR)
L'invention porte sur un passage (314), qui touche une structure non-conductrice (114) et une structure conductrice sous-jacente (110), qui a une surface supérieure où la totalité de la surface supérieure du passage (314) est sensiblement plane. La totalité de la surface supérieure sensiblement plane du passage (314) améliore des structures qui sont produites par la planéité de la surface supérieure du passage (314).
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international