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Paramétrages

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1. WO2012005389 - PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM MINCE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN

Numéro de publication WO/2012/005389
Date de publication 12.01.2012
N° de la demande internationale PCT/KR2010/004369
Date du dépôt international 06.07.2010
CIB
H01L 21/324 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
324Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
H01L 31/042 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
042Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles
H01L 29/786 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
H01L 21/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
CPC
H01L 21/02422
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02422Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
H01L 21/02491
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02491Conductive materials
H01L 21/02532
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02532Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02658
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02656Special treatments
02658Pretreatments
H01L 21/02672
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02656Special treatments
02664Aftertreatments
02667Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
02672using crystallisation enhancing elements
H01L 21/324
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
324Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
Déposants
  • 노코드 주식회사 NOKORD CO.,LTD [KR/KR]; 경기도 안산시 단원구 초지동 626-4 다동 3층 Third floor, Da-dong, 626-4 Choji-dong, Danwon-gu Ansan-si, Gyeonggi-Do 425-866, KR (AllExceptUS)
  • 이원태 LEE, Won Tae [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • 조한식 CHO, Han Sick [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • 김상규 KIM, Sang Kyu [KR/KR]; KR (UsOnly)
Inventeurs
  • 이원태 LEE, Won Tae; KR
  • 조한식 CHO, Han Sick; KR
  • 김상규 KIM, Sang Kyu; KR
Mandataires
  • 리앤목특허법인 Y.P.LEE, MOCK & PARTNERS; 서울시 서초구 서초동 1575-1 1575-1 Seocho-dong, Seocho-gu Seoul 137-875, KR
Données relatives à la priorité
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING A POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILM
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM MINCE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
(KO) 다결정 실리콘 박막의 제조방법
Abrégé
(EN)
A method for manufacturing a polycrystalline silicon thin film comprises the steps of: forming a metal layer on an insulation substrate; heat-treating the metal layer to form a metal oxide film on the metal layer; stacking an amorphous silicon layer on the metal oxide film; and heat-treating the amorphous silicon layer using the metal layer or metal particles of the oxide film as a catalyst to generate crystalline silicon.
(FR)
L'invention concerne un procédé de production de film mince de silicium polycristallin comprenant les étapes consistant : à former une couche métallique sur un substrat isolant ; à traiter thermiquement la couche métallique pour former un film d'oxyde métallique sur la couche métallique ; à empiler une couche de silicium amorphe sur le film d'oxyde métallique ; et à traiter thermiquement la couche de silicium amorphe au moyen de la couche métallique ou de particules métalliques du film d'oxyde en tant que catalyseur pour générer un silicium cristallin.
(KO)
본 발명에 따른 다결정 실리콘 박막의 제조방법은, 절연 기판상에 금속층을 형성시키는 금속층 형성단계; 상기 금속층을 열처리하여 그 금속층에 금속 산화막을 형성하는 산화막 형성단계; 상기 산화막 위에 비정질 실리콘층을 적층시키는 실리콘층 형성단계; 및 상기 금속층 또는 상기 산화막의 금속 입자를 촉매로 하여 상기 비정질 실리콘층에서 결정질 실리콘이 생성되도록 열처리하는 결정화 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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