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1. WO2012005184 - PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES, PROCÉDÉ DE COUPE ET DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE

Numéro de publication WO/2012/005184
Date de publication 12.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/065175
Date du dépôt international 01.07.2011
CIB
H01L 33/20 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
20ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
CPC
H01L 2224/48091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
4805Shape
4809Loop shape
48091Arched
H01L 2224/73265
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
732Location after the connecting process
73251on different surfaces
73265Layer and wire connectors
H01L 33/0079
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0062for devices with an active region comprising only III-V compounds
0079wafer bonding or at least partial removal of the growth substrate
H01L 33/0095
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0095Post-treatments of the devices, e.g. annealing, recrystallisation, short-circuit elimination
H01L 33/641
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
64Heat extraction or cooling elements
641characterized by the materials
Déposants
  • 昭和電工株式会社 SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 東京都港区芝大門一丁目13番9号 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518, JP (AllExceptUS)
  • 松村 篤 MATSUMURA Atsushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 松村 篤 MATSUMURA Atsushi; JP
Mandataires
  • 志賀 正武 SHIGA Masatake; 東京都千代田区丸の内一丁目9番2号 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620, JP
Données relatives à la priorité
2010-15672109.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR PRODUCING LIGHT-EMITTING DIODES, CUTTING METHOD, AND LIGHT-EMITTING DIODE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES, PROCÉDÉ DE COUPE ET DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
(JA) 発光ダイオードの製造方法、切断方法及び発光ダイオード
Abrégé
(EN)
Disclosed are a method for producing light-emitting diodes and a cutting method with which adverse effects due to debris produced when laser cutting a metal substrate can be reduced, and with which defects such as dicing line misalignments caused by heat generated during cutting can be prevented. Also disclosed is a light-emitting diode. The method for producing light-emitting diodes comprises: a step for manufacturing a wafer provided with a metal substrate comprising a plurality of metal layers, and a compound semiconductor layer containing a light-emitting layer formed on said metal substrate; a step for removing part of the compound semiconductor layer on the intended cutting line by etching; a step for removing part of at least one of the plurality of metal layers on the laser irradiation surface side on the intended cutting line by etching; and a step for cutting the metal substrate by irradiating a laser along the part removed from the metal layer in a plan view.
(FR)
L'invention concerne un procédé de production de diodes électroluminescentes et un procédé de coupe qui permettent de réduire les effets négatifs dus aux débris produits lors de la coupe au laser d'un substrat métallique, et d'éviter les défauts tels que des défauts d'alignement de la ligne de découpage en dés causés par la chaleur générée pendant la coupe. L'invention concerne également une diode électroluminescente. Le procédé de production de diodes électroluminescentes comprend les étapes suivantes : une étape qui consiste à fabriquer une tranche munie d'un substrat métallique comprenant une pluralité de couches métalliques et d'une couche semi-conductrice d'un composé contenant une couche électroluminescente, formée sur ledit substrat métallique ; une étape qui consiste à enlever par gravure une partie de la couche semi-conductrice de composé sur la ligne de coupe prévue ; une étape qui consiste à enlever par gravure une partie d'au moins une de la pluralité de couches métalliques du côté de la surface d'irradiation au laser sur la ligne de coupe prévue ; et une étape qui consiste à couper le substrat métallique par irradiation au laser le long de la partie enlevée de la couche métallique en vue en plan.
(JA)
金属基板のレーザー切断時に生成するデブリによる悪影響を低減できると共に、切断時に発生する熱に起因したダイシングラインのずれ等の不都合を防止できる発光ダイオードの製造方法、切断方法及び発光ダイオードが提供される。そのような発光ダイオードの製造方法は、複数の金属層からなる金属基板と、該金属基板上に形成された発光層を含む化合物半導体層とを備えたウェハを作製する工程と、前記化合物半導体層の切断予定ライン上の部分を、エッチングによって除去する工程と、前記複数の金属層のうちレーザー照射面側の少なくとも一層の、前記切断予定ライン上の部分を、エッチングによって除去する工程と、平面視して前記金属層の前記除去された部分に沿って、レーザーを照射して前記金属基板を切断する工程と、を有する。
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