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Paramétrages

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1. WO2012004913 - DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2012/004913
Date de publication 12.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/002002
Date du dépôt international 04.04.2011
CIB
G01T 1/24 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
TMESURE DES RADIATIONS NUCLÉAIRES OU DES RAYONS X
1Mesure des rayons X, des rayons gamma, des radiations corpusculaires ou des radiations cosmiques
16Mesure de l'intensité de radiation
24avec des détecteurs à semi-conducteurs
H01L 31/09 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
09Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
CPC
G01T 1/24
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
1Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
16Measuring radiation intensity
24with semiconductor detectors
H01L 21/02562
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02551Group 12/16 materials
02562Tellurides
H01L 21/02573
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
0257Doping during depositing
02573Conductivity type
H01L 21/02595
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02587Structure
0259Microstructure
02595polycrystalline
H01L 27/14676
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14665Imagers using a photoconductor layer
14676X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
H01L 27/14696
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
14696The active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
Déposants
  • 株式会社島津製作所 SHIMADZU CORPORATION [JP/JP]; 京都府京都市中京区西ノ京桑原町1番地 1, Nishinokyo-Kuwabaracho, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6048511, JP (AllExceptUS)
  • 徳田 敏 TOKUDA, Satoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 田邊 晃一 TANABE, Koichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 吉牟田 利典 YOSHIMUTA, Toshinori [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 岸原 弘之 KISHIHARA, Hiroyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 貝野 正知 KAINO, Masatomo [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 吉松 聖菜 YOSHIMATSU, Akina [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 佐藤 敏幸 SATO, Toshiyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 桑原 章二 KUWABARA, Shoji [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 徳田 敏 TOKUDA, Satoshi; JP
  • 田邊 晃一 TANABE, Koichi; JP
  • 吉牟田 利典 YOSHIMUTA, Toshinori; JP
  • 岸原 弘之 KISHIHARA, Hiroyuki; JP
  • 貝野 正知 KAINO, Masatomo; JP
  • 吉松 聖菜 YOSHIMATSU, Akina; JP
  • 佐藤 敏幸 SATO, Toshiyuki; JP
  • 桑原 章二 KUWABARA, Shoji; JP
Mandataires
  • 杉谷 勉 SUGITANI, Tsutomu; 大阪府大阪市北区西天満1丁目10番8号 西天満第11松屋ビル Nishitenma No.11 Matsuya Bldg., 10-8, Nishitenma 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047, JP
Données relatives à la priorité
2010-15405006.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) RADIATION DETECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 放射線検出器およびそれを製造する方法
Abrégé
(EN)
The disclosed radiation detector has a radiation-sensitive detection layer provided on a substrate. Said detection layer is a polycrystalline film with an average grain size less than or equal to a pixel pitch. A polycrystalline film comprising for example CdZnTe (cadmium zinc telluride) is formed (CdZnTe film (A)) and actively doped with chlorine at a film chlorine concentration within the range 1-10 ppm (wt), or preferably, 3.1 ppm (wt). The use of a detection layer that is a polycrystalline film with an average grain size less than or equal to the pixel pitch allows the disclosed radiation detector to acquire images that have good inter-pixel characteristics (spatial resolution, sensitivity, and the like). Also, temporal fluctuations are decreased in size, improving detection characteristics related to response characteristics. As a result, detection characteristics are improved.
(FR)
L'invention concerne un détecteur de rayonnement comprenant une couche de détection sensible au rayonnement disposée sur un substrat. Ladite couche de détection est un film polycristallin ayant une taille moyenne de grain inférieure ou égale au pas de pixel. Un film polycristallin comprenant par exemple du CdZnTe (tellurure de cadmium-zinc) est formé (film de CdZnTe (A)) et est dopé activement par du chlore à une concentration en chlore du film dans la gamme de 1 à 10 ppm (en poids) ou, de préférence, de 3,1 ppm (en poids). L'utilisation d'une couche de détection constituée par un film polycristallin ayant une taille moyenne de grain inférieure ou égale au pas de pixel permet au détecteur de rayonnement décrit d'acquérir des images présentant de bonnes caractéristiques inter-pixels (résolution spatiale, sensibilité, etc.). Par ailleurs, les fluctuations temporelles sont réduites, cela améliorant les caractéristiques de détection associées aux caractéristiques de réponse. Il en résulte que les caractéristiques de détection sont améliorées.
(JA)
 放射線に感応する検出層を基板に備えた放射線検出器であって、平均粒径が画素ピッチ以下の多結晶膜を検出層として形成する。膜Cl濃度が1wtppm~10wtppmの範囲で、より好ましくは3.1wtppmでCl(塩素)を積極的にドープして、例えばCdZnTe(テルル化カドミウム亜鉛)からなる多結晶膜を形成する(CdZnTe膜A)。平均粒径が画素ピッチ以下の多結晶膜を検出層として形成するので、画素間の特性(空間分解能、感度等)の良好な画像を放射線検出器にて得ることができる。また、時間的な揺らぎも小さくなり応答特性に関する検出特性も向上させることができる。その結果、検出特性を向上させることができる。
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