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Paramétrages

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1. WO2012004112 - PUCE DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE PUCE DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE

Numéro de publication WO/2012/004112
Date de publication 12.01.2012
N° de la demande internationale PCT/EP2011/060158
Date du dépôt international 17.06.2011
CIB
H01L 33/44 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
44caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/20 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
20ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H01L 33/02 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
CPC
H01L 2933/0025
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0008Processes
0025relating to coatings
H01L 33/025
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
025Physical imperfections, e.g. particular concentration or distribution of impurities
H01L 33/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
H01L 33/26
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
H01L 33/44
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
Déposants
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4 93055 Regensburg, DE (AllExceptUS)
  • MAYER, Bernd [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • SCHMID, Wolfgang [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • MAYER, Bernd; DE
  • SCHMID, Wolfgang; DE
Mandataires
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55 80339 München, DE
Données relatives à la priorité
10 2010 026 518.708.07.2010DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) LEUCHTDIODENCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LEUCHTDIODENCHIPS
(EN) LIGHT-EMITTING DIODE CHIP AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING DIODE CHIP
(FR) PUCE DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE PUCE DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
Abrégé
(DE)
Es wird ein Leuchtdiodenchip angegeben, mit - einer n-leitenden Halbleiterschicht (3), - einer p-leitenden Halbleiterschicht (4), - einem aktiven Bereich (2) zwischen der n-leitenden Halbleiterschicht (3) und der p-leitenden Halbeiterschicht (4), - einer Seitenfläche (14), welche die n-leitende Halbleiterschicht (3), die p-leitende Halbleiterschicht (4), und den aktiven Bereich (2) in einer lateralen Richtung begrenzt, und - einem Dotierbereich (1), in dem ein Dotierstoff in ein Halbleitermaterial des Leuchtdiodenchips eingebracht ist, und/oder - einem neutralisierten Bereich (1), wobei - der Dotierbereich (1) und/oder der neutralisierte Bereich (1) an der Seitenfläche (14) zumindest im Bereich des aktiven Bereichs ausgebildet ist, und - der Leuchtdiodenchip im Betrieb zur Abstrahlung von inkohärenter elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist.
(EN)
The invention relates to a light-emitting diode chip, comprising an n-type semiconductor layer (3), a p-type semiconductor layer (4), an active region (2) between the n-type semiconductor layer (3) and the p-type semiconductor layer (4), a lateral surface (14), which limits the n-type semiconductor layer (3), the p-type semiconductor layer (4) and the active region (2) in a lateral direction, and a doped region (1), in which a dopant is introduced into a semiconductor material of the light-emitting diode chip, and/or comprising a neutralised region (1), wherein the doped region (1) and/or the neutralised region (1) are formed at the lateral surface (14) at least in the region of the active region, and the light-emitting diode chip is intended to emit incoherent electromagnetic radiation during operation.
(FR)
L'invention concerne une puce de diode électroluminescente, comprenant - une couche semi-conductrice (3) de conductivité de type n, - une couche semi-conductrice (4) de conductivité de type p, - une zone active (2) entre la couche semi-conductrice (3) de conductivité de type n et la couche semi-conductrice (4) de conductivité de type p, - une face latérale (14) qui délimite la couche (3) de conductivité de type n, la couche semi-conductrice (4) de conductivité de type p, et la zone active (2) dans une direction latérale, et - une zone de dopage (1) dans laquelle un dope est introduit dans un matériau semi-conducteur de la puce de diode électroluminescente, et/ou - une zone neutralisée (1), - la zone de dopage (1) et/ou la zone neutralisée (1) étant formée sur la face latérale (14) au moins dans la zone de la zone active, et - la puce de diode électroluminescente en fonctionnement étant prévue pour le rayonnement de rayons électromagnétiques incohérents.
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